三菱电机发布具有电流测量功能的SiC制MOSFET

三菱电机发布具有电流测量功能的SiC制MOSFET

　　三菱电机面向过电流保护电路试制出了具有“电流感测功能”的SiC制MOSFET,并在功率半导体相关国际学会“ISPSD2011”（2011年5月23日~26日在美国圣地亚哥召开）上进行了发布。这是用于同时内置有驱动电路和过电流保护电路的SiC功率模块的MOSFET.该模块此前已经公开，但此次是首次公开MOSFET的具体性能。

　　此次试制的MOSFET除了用于电源电路开关的主要MOSFET单元以外，还针对电流测量功能在一片芯片上配备了将电流进行部分分流的小型MOSFET单元。芯片尺寸为3.3mm见方。过电流保护电路用来监控该分流电流的大小，当检测到电流值超过一定值时（过电流），就会切断驱动电路（栅极驱动电路）。

　　MOSFET单元的主要性能如下：栅极-源极间的电压为15V、漏极-源极间的电压为4V左右，电流值接近90A.换算成电流密度为100A/cm2.此时，室温下的导通电阻为3.6mΩcm2.三菱强调，即使是在230℃的高温环境下，导通电阻也只有6.9mΩcm2.

　　另外，如果向电流感测MOSFET分流的电流值为1,那么在室温下流向主要MOSFET的电流值相当于4400.虽然温度越高这个比值越小，但是变化量很小。例如，温度175℃时为4000左右。