新一代功率半导体的动向让人关注

新一代功率半导体的动向让人关注

　　  《日经电子》将于2011年6月21日举行题为“节能撒手锏‘功率半导体’即将迈向下一代”的研讨会（会场：东京JA共济大厦）。功率半导体在要求降低耗电量以及减轻环境负荷的背景下，其用武之地在增加。与此同时，功率半导体的性能也在持续提高。其中，备受关注的是拥有现有Si材料无法企及的大幅提高效率及产品尺寸小型化特性的新一代材料。其代表就是GaN和SiC.

　　  在功率半导体的产品化上领先的是SiC.大约10年前，首款SiC二极管产品亮相。现在，SiC二极管产品的价格远比当时便宜。而且，供应SiC二极管产品的厂商也在不断增加。原来只配备于产业设备等的SiC二极管已在2010年配备到了家用空调上。另外，倍受期盼的SiC MOSFET也开始了产品化。

　　  而GaN,以前主要用于LED及半导体激光器等发光元件和无线通信基站利用的高频率元件。现在终于作为功率半导体而开始了实用化。因此，为了让更多的技术人员加深功率半导体方面的知识，提升功率半导体业界的整体实力，并催生新的商机，《日经电子》策划了本文开篇提到的研讨会。

　　  此次研讨会的内容将涉及使用SiC及GaN的功率半导体元件、推进使用功率半导体的功率模块发展的封装技术，以及功率半导市场的动向，等等。

　　  例如，三菱电机将介绍使用SiC功率元件以及使用此类元件的模块。该公司长年致力于SiC相关研发，近几年每年都有多项相关研发成果发表。已经开始SiC功率元件的产品化。虽然元件还有待改进，但可发挥其潜力的应用如今才刚刚启动。

　　  研讨会上，三菱电机将就其以往致力的SiC功率元件为应用案例，针对配备过电流保护功能的“全SiC”智能功率模块、为铁路用途试制的300kW级逆变器以及配备SiCMOSFET的太阳能发电功率调节器等做演讲（参阅本站报道）。

　　  另外，在发挥SiC及GaN等新一代材料的应用潜力上，封装技术变得越来越重要。因为通过应用封装技术，有望实现200℃之类的高温用途和在高开关频率下的用途等，以此前的Si功率元件所无法实现的应用。

　　  发布过无丝焊小型封状技术，以及瞄准未来电动汽车用途等的小型IGBT模块等备受关注成果的富士电机，将就功率半导体用封状技术为中心进行相关介绍（参阅本站报道）。

　　  与SiC功率元件的应用同样重要的是其价格。虽说二极管现在已变得相当便宜，但还是比Si制二极管贵。SiC制功率元件之所以价格高，是因为其用途有限因而供货量少虽是原因之一，但更大的原因在于元件制造用SiC基板的成本较高。因此，如何在提高品质的同时实现SiC基板的低成本化及大口径化就成为了重要的研发课题。在此次研讨会上，宣布将增产SiC基板，对该业务表现积极的新日本制铁将登台发表演讲（参阅本站报道）。

　　GaN类功率元件的高耐压化是关键

　　  当然，此次研讨会还会涉及GaN类功率元件。此次，很早就推出了使用GaN类功率元件的DC-DC转换器模块产品的美国国际整流器公司（InternationalRectifier,IR）的日本分公司IR日本将登台演讲。

　　  IR推出的GaN类功率元件产品虽然在耐压上还处于较低的数十V水平，但今后将提高至600V以上，并预定扩大应用范围。这种高耐压化是关系到GaN类功率元件发展前途的重要课题。此次，该公司将在介绍GaN类功率元件的特点和使用此类元件的产品，同时还将就高耐压化作介绍。

　　  另外，此次研讨会不仅有技术方面的话题，还将涉及功率半导体市场的动向。iSuppli Japan副社长兼JapanResearch首席分析师南川明将就此登台演讲。此次是南川明第二次就同一课题发表演讲。在《日经电子》就上次研讨会进行的问卷调查中，南川明的演讲是颇受好评的演讲之一。尽管课题相同，但此次的内容将更加深入。

　　  最后要说的是，在研讨会现场了解信息固然重要，但其最大魅力在于有“提问的权利”.所以此次预定在各项演讲的最后安排有提问时间。如果您对功率半导体感兴趣的话，请务必到场参加，如能从各种角度提问，更是幸事。