Cree对分布式照明进行优化,扩大照明级LED产品的最大化组合
来源:高工LED 作者:--- 时间:2011-03-03 00:00
3月3日, Cree宣布推出XLamp® ML-B LED。XLamp® ML-B LED的设计可在四分之一瓦的功率下工作,将照明级性能推广至光源可见的分布式应用领域,比如面板灯和基于LED的日光灯管替代产品等。
照明设备制造商曾试图通过在漫射器下密集地设置许多低功率LED,以实现统一的照明外观。但是,这种对于典型低功耗LED的使用既不能使制造商达到“能源之星”(ENERGY STAR)的严格要求,也不能满足客户的期望。而Cree XLamp® ML-B LED的出现将改变这一状况。其设计寿命达到了5万小时,可提供照明级别的光效、热阻和可靠性,能够支持符合ENERGY STAR®标准的灯具。
Cree公司LED元器件市场总监Paul Thieken表示,“具有创新意义的ML-B LED能够满足广大照明设备制造商们对流畅统一的外观需求,同时为分布式照明应用提供照明级性能。ML-B LED成功实现了直射型照明设备光输出、封装尺寸、光效和价值的完美平衡”。
在80 mA的驱动电流下,冷白光(5000K)ML-B LED的光输出高达30 lm,暖白光(3000K)ML-B LED的光输出高达24 lm。ML-B LED与ML-E LED具有相同的尺寸和封装,并且与ML-E一样,可提供严格控制的色度空间均匀性和120度的发光角度。
资讯排行榜
- 每日排行
- 每周排行
- 每月排行
- 碳化硅赋能浪潮教程:CJFET缓冲电路的设计逻辑
- 全球TOP15原厂最新业绩PK,现货市场迎变局
- 国产GPU燧原科技科创板IPO过会|腾讯或成幕后大赢家!
- 加速具身智能量产,大联大世平集团携手芯驰科技深度解析全栈芯方案
- 泰瑞达携手东京电子推出面向AI与数据中心芯片的集成测试解决方案
- ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
- 安森美将在2026慕尼黑上海电子展 呈现系统级智能电源与感知创新
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- Littelfuse NANO2 SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
- 摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
- 国产GPU燧原科技科创板IPO过会|腾讯或成幕后大赢家!
- 安森美将在2026慕尼黑上海电子展 呈现系统级智能电源与感知创新
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- Littelfuse NANO2 SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
- 加速具身智能量产,大联大世平集团携手芯驰科技深度解析全栈芯方案
- 摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
- ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
- 碳化硅赋能浪潮教程:CJFET缓冲电路的设计逻辑
- 泰瑞达携手东京电子推出面向AI与数据中心芯片的集成测试解决方案
- 全球TOP15原厂最新业绩PK,现货市场迎变局
- Melexis推出集成DC/DC转换器的LIN RGB驱动芯片,简化汽车照明设计
- 东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
- 英伟达正式进军个人电脑芯片市场
- 碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案
- 被AI点燃的电子工业大米:MLCC需求暴增3-5倍,涨价35%
- 摩尔斯微电子发布高功率Wi-Fi HaLow模组MM8108-M20,加速远距离物联网规模化应用
- 开启SDV浪潮下智能照明新纪元,大联大世平集团携手安森美分享10BASE-T1S ADB前照灯方案
- Wolfspeed 新推出两款3.3 kV碳化硅功率模块系列,助力应对能源需求的激增
- Cadence携 NVIDIA发布业界首款具备全自主芯片设计能力的虚拟工程师
- 兆易创新推出全新光模块专用MCU,聚力光互联产业升级






