EpiGaN募资400万欧元投向GaN-on-Si
来源:高工LED 作者:--- 时间:2011-07-07 00:00
【高工LED专稿】 【高工LED讯】EpiGaN公司首轮资本募集已经结束,共募集资金400万欧元,投资方为Capricorn清洁技术基金,Robert Bosch风险投资以及LRM公司。EpiGaN将使用募集资金开始批量生产GaN-on-Si。
EpiGaN于2010年由Marianne Germain、Joff Derluyn以及Stefan Degroote创建,他们分别担任公司首席执行官、首席技术官和首席运营官。事实上他们的合作已经有10多年了,之前,他们一起在比利时微电子研究机构IMEC研发基于4”和6”晶片上生长GaN-on-Si的技术。EpiGaN目前已获IMEC对部分GaN-on-Si技术的授权。
IMEC总裁Luc Van den hove表示,基于IMEC的GaN-on-Si技术研究成果成功创建EpiGaN公司,可把IMEC技术推向市场。
EpiGaN于2010年由Marianne Germain、Joff Derluyn以及Stefan Degroote创建,他们分别担任公司首席执行官、首席技术官和首席运营官。事实上他们的合作已经有10多年了,之前,他们一起在比利时微电子研究机构IMEC研发基于4”和6”晶片上生长GaN-on-Si的技术。EpiGaN目前已获IMEC对部分GaN-on-Si技术的授权。
IMEC总裁Luc Van den hove表示,基于IMEC的GaN-on-Si技术研究成果成功创建EpiGaN公司,可把IMEC技术推向市场。
相关文章
led
资讯排行榜
- 每日排行
- 每周排行
- 每月排行
- 碳化硅赋能浪潮教程:CJFET缓冲电路的设计逻辑
- 全球TOP15原厂最新业绩PK,现货市场迎变局
- 国产GPU燧原科技科创板IPO过会|腾讯或成幕后大赢家!
- 加速具身智能量产,大联大世平集团携手芯驰科技深度解析全栈芯方案
- 泰瑞达携手东京电子推出面向AI与数据中心芯片的集成测试解决方案
- ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
- 安森美将在2026慕尼黑上海电子展 呈现系统级智能电源与感知创新
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- Littelfuse NANO2 SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
- 摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
- Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流,铁芯损耗降低20%
- 国产GPU燧原科技科创板IPO过会|腾讯或成幕后大赢家!
- 安森美将在2026慕尼黑上海电子展 呈现系统级智能电源与感知创新
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- Littelfuse NANO2 SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
- ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
- 摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
- 加速具身智能量产,大联大世平集团携手芯驰科技深度解析全栈芯方案
- 碳化硅赋能浪潮教程:CJFET缓冲电路的设计逻辑
- 泰瑞达携手东京电子推出面向AI与数据中心芯片的集成测试解决方案
- 内存暴涨反而降价,苹果华为小米集体"跳水"
- Melexis推出集成DC/DC转换器的LIN RGB驱动芯片,简化汽车照明设计
- 东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
- 思特威全新推出超大靶面超高分辨率工业相机应用系列图像传感器
- 英伟达正式进军个人电脑芯片市场
- 碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案
- 被AI点燃的电子工业大米:MLCC需求暴增3-5倍,涨价35%
- 摩尔斯微电子发布高功率Wi-Fi HaLow模组MM8108-M20,加速远距离物联网规模化应用
- Wolfspeed 新推出两款3.3 kV碳化硅功率模块系列,助力应对能源需求的激增
- 开启SDV浪潮下智能照明新纪元,大联大世平集团携手安森美分享10BASE-T1S ADB前照灯方案






