三星电子量产30nm工艺32GB存储卡
日前，三星电子称，为了满足快速发展的智能手机及日渐热门的大容量便携式电子设备市场，将从本月起量产业界首款高性能32GB(gigabyte) microSD存储卡。
据悉，这是继去年二月三星电子在行业内首次量产采用30纳米级 (1纳米相当于10亿分之一米) 32Gb(bit) 3bit NAND 芯片的32GB microSD产品后，今年再次率先量产采用20 纳米级 3bit NAND Flash技术平台，创造出同等规格中最高技术水平的CLASS10(10MB/秒) 32GB microSD，从而进一步扩大了产品阵容。
记者了解到，新产品收纳了20 纳米级 3bit NAND Flash和三星独自设计的3bit 专用控制器，三星的32GB microSD卡的速度也提高了两倍，与现有的30 纳米级 3bit NAND Flash Class4 32GBmicroSD(最快写入速度每秒7MB)相比，写入及读取速度分别提高到每秒12MB和24MB，而且芯片兼具大容量与高性能, 特别适用于4G智能手机。
此外，三星电子产品生产效率提升了30%之多，大大提高了产品竞争力。有专家称，由于三星半导体的技术优势和产品竞争力，目前，三星在32GB以上大容量存储市场的占有率在不断扩大，预计从2010年到2012年，三星半导体的市场占有率将由11%提升到23%。
三星电子半导体事业部存储战略营销部负责人洪完勋副董事长向记者介绍说，“ 32GB microSD CLASS10内存卡令最近上市的智能手机达到完美速度”。洪完勋也表示，“在未来32GB microSD 市场上，我们的顾客在体验过32GB microSD CLASS10产品后，我相信他们肯定对大容量存储卡的性能更加认可和满意”。
目前，三星电子计划明年开始量产采用20纳米级64Gb 3bit 400Mbps NAND Flash的32GB以上大容量存储卡，将持续扩展高性能与大容量存储卡市场。业内人士表示，此举在NAND Flash市场上持续扩大容量闪存卡比重的同时，将引领闪存卡市场的发展。
据悉，这是继去年二月三星电子在行业内首次量产采用30纳米级 (1纳米相当于10亿分之一米) 32Gb(bit) 3bit NAND 芯片的32GB microSD产品后，今年再次率先量产采用20 纳米级 3bit NAND Flash技术平台，创造出同等规格中最高技术水平的CLASS10(10MB/秒) 32GB microSD，从而进一步扩大了产品阵容。
记者了解到，新产品收纳了20 纳米级 3bit NAND Flash和三星独自设计的3bit 专用控制器，三星的32GB microSD卡的速度也提高了两倍，与现有的30 纳米级 3bit NAND Flash Class4 32GBmicroSD(最快写入速度每秒7MB)相比，写入及读取速度分别提高到每秒12MB和24MB，而且芯片兼具大容量与高性能, 特别适用于4G智能手机。
此外，三星电子产品生产效率提升了30%之多，大大提高了产品竞争力。有专家称，由于三星半导体的技术优势和产品竞争力，目前，三星在32GB以上大容量存储市场的占有率在不断扩大，预计从2010年到2012年，三星半导体的市场占有率将由11%提升到23%。
三星电子半导体事业部存储战略营销部负责人洪完勋副董事长向记者介绍说，“ 32GB microSD CLASS10内存卡令最近上市的智能手机达到完美速度”。洪完勋也表示，“在未来32GB microSD 市场上，我们的顾客在体验过32GB microSD CLASS10产品后，我相信他们肯定对大容量存储卡的性能更加认可和满意”。
目前，三星电子计划明年开始量产采用20纳米级64Gb 3bit 400Mbps NAND Flash的32GB以上大容量存储卡，将持续扩展高性能与大容量存储卡市场。业内人士表示，此举在NAND Flash市场上持续扩大容量闪存卡比重的同时，将引领闪存卡市场的发展。