2011高工LED大会主题会议Ⅲ、Ⅳ技术前瞻专场精彩回顾（二）

【高工LED专稿】 12月10日，2011高工LED年度大会精彩继续，会议主题Ⅲ：技术前瞻「LED 外延芯片及其装备技术」及主题Ⅳ：技术前瞻「封装及其装备技术」在深圳青青世界主楼402召开。技术前瞻专场可以说的国内LED行业最新的创新和突破技术的展示平台，也是LED行业顶尖技术工程师沟通的最好平台。
 
技术分会场汇集了国内外LED领域的最顶级技术专家，上午，来自LED产业链上游外延芯片及设备的专家们在各自领域，探讨了最新前沿技术以及发展趋势，下午则主要是来自封装及其装备领域的专家们分享了各自领域的最新技术动向。
 

12月10日高工LED大会 主题Ⅲ、Ⅳ技术前瞻 分会场现场

 
从一整天座无虚席的会场来看，参会观众对LED产业最新技术动向的关注不言而喻，现场互动环节更是掀起会议一轮一轮的高潮，观众提问一个个接踵而来，专家们一个个进行答疑解惑，现场雷鸣般的掌声相信是观众对专家们给出答案的极大认可。

12月10日高工LED大会 主题Ⅲ、Ⅳ技术前瞻 分会场现场观众提问

会上，PHILIPS LUMILEDS中国区技术方案经理 石蕾 博士 主要分析了高亮度白光LED技术发展新趋势，她认为，高亮度白光LED实现高光效，高品质，可靠性技术突破点在lm/w、lm/$，并指出，未来白光LED可从lm/w、成本以及光质量三方面提升LED性能。她并认为未来通用照明将会广泛采用LED，2020年比重将比现在提高10倍。


 
亚威朗光电(中国)有限公司总裁 苏伟迈 博士 主要从lm/W，lm/$分析了未来外延芯片关键技术方向，他认为，随着大尺寸衬底的普及和芯片成本的大幅下降，大尺寸芯片未来将> 1cm2；而随着外延质量的提升、散热改善和Droop现象的消失，大电流密度芯片则将>350 A/cm2；此外，随着器件工艺、封装工艺的改善，高压芯片(110V, 220V)将得到普及。