Vishay Siliconix 推出新款N沟道TrenchFET功率MOSFET
来源:华强电子网 作者:—— 时间:2012-06-28 14:01
6 月28 日,日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK? SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。

SiA436DJ可用于智能手机、平板电脑,以及移动计算应用等便携式电子产品中的负载切换。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封装可在这些应用中节省PCB空间,同时其低导通电阻可以减少传导损耗,达到降低功耗、提高效率的目的。
MOSFET在1.2V电压下就可导通,使MOSFET可以采用手持设备中常见的低压电源轨进行工作,简化了电路设计,使电池在两次充电周期之间的工作时间更长。SiA436DJ的低导通电阻还可以减低负载开关上的电压降,防止出现讨厌的欠压锁定现象。
SiA436DJ通过了100%的Rg测试,符合IEC 61249-2-21的无卤素规定,符合RoHS指令。
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