RFMD晶圆代工部门新增两项pHEMT制程服务

       RF Micro Devices, Inc. (RFMD) 宣布，其晶圆代工服务部门扩大制程技术服务，新增两项砷化镓(GaAs)制程技术： RFMD 的 FD25 低杂讯 pHEMT 制程和 RFMD 的 FET1H 切换 pHEMT 制程。这两项额外的 GaAs pHEMT 制程技术可立即提供晶圆代工客户服务。
RFMD的0.25-micron FD25 pHEMT制程技术提供了低杂讯、中间功率及高线性度，以用于包括低杂讯前端和发射器MMIC。 RFMD的0.6-micron FET1H pHEMT制程技术提供低杂讯和高线性射频讯号切换，以应用于无线前端、传输 /接收模组和相位式阵列。

这两项新制程技术补足了 RFMD现有的0.3-micron FD30 pHEMT制程技术，其已于2010年提供晶圆代工客户服务，应用范围包括X频段相位式阵列功率放大器和8-16 GHz宽频军事电子战干扰机。

RFMD表示，全球的无线通讯、航太和国防，以及雷达 /雷达干扰机市场持续迅速成长，其主要驱动力为要求透过领导级半导体技术而达到更高整合度的终端应用。这驱使半导体制造商开发和提供世界一流的技术，并提供更具弹性的高效能。

RFMD的低杂讯FD25和高线性开关 FET1H技术，以及 RFMD的现有 FD30 0.3μm功率制程技术，让客户能够设计和制造先进元件，以符合广泛的应用需求。