“我们很高兴联电选择了先进的ARM Artisan实体IP来支持其28纳米HPM制程。双方客户将可以取得完整实体IP 解决方案，尤其适用于高效能处理器的设计，例如ARM Cortex-A 系列。” ARM 实体IP 部门执行副总裁暨总经理Simon Segars表示。
联电负责客户工程与IP研发设计支持副总简山杰表示：“此次由联华电子赞助的研发计划，使我们客户能在联电多样化的尖端制程上，采用最完整的ARM实体IP解决方案，进而掌握关键市场先机，达到更快速的产品上市时程。”
拥有HK/MG组件架构优异的效能与极低漏电特性，联电的gate-last 28纳米HPM制程技术可提供多种不同的组件电压，内存单元与underdrive / overdrive能力，以协助芯片设计公司开发出能兼顾高效能与更长的电池使用时间的产品。联华电子的28纳米HPM制程预计于2012年中进入试产。
