有关液晶电视背光模块或是大型照明，使用数量众多的白光LED，必须同时兼具成本与性能的传统课题，日本业者普遍认为2011年可望实现0.5日圆/LM、200LM/W的预定目标，其中芯片性能的提升、荧光体、封装技术的开发，一直扮演关键性的角色。可靠性是白光LED另外一项重要课题，它包含单体LED的耐久性，以及复数白光LED同时点灯时的辉度分布等等，为克服这些问题，国内外厂商已经积极展开技术开发。
有关白光LED的耐久性亦即LED的劣化，一般认为光束、封装，以及芯片的时间性劣化，是造成寿命降低的主要原因，然而实际上这些劣化要因错综复杂，因此劣化模式的分析非常困难，特别是白光LED的寿命很长，不易进行劣化试验。传统劣化试验例如：电流加速试验、温度加速试验、加速耐候试验等等，接着本文要介绍“过电压劣化试验”的结果，以及白光LED劣化的分析结果。
分析方法与评鉴项目 
图1是典型照明用白光LED的基本结构与劣化要因一览；表1是GAN系LED与相关材料主要评鉴项目，以及分析手法一览。穿插式电子显微镜(TEM；TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPE) 可以根据LED的断面结构直接观察转位与缺陷，劣化分析时微细部位的歪斜、应力、成分、载子浓度、缺陷评鉴非常重要，特别是奈米等级的载子浓度与缺陷评鉴分析，一般都使用：扫描型探针显微镜(SPM；SCANNING PROBE MICROSCOPE)、扫描型扩散阻抗显微镜(SSRM；SCANNING SPREAD RESISTANCE MICROSCOPY)、扫描型容量显微镜(SCM；SCANNING CAPACITANCE MICROSCOPY)、阴极发光法 (CL；CATHODO LUMINESCENCE)。
       有关树脂与荧光体结构的评鉴，一般认为使用：傅立叶红外分光法（FT-IR；FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROMETER）、固体核磁共鸣法（固体NMR；SOLID-STATE NUCLEAR MAGNETIC RESONANCE）、拉曼 (RAMAN) 分光法可以获得预期效果。
    芯片劣化的评鉴 
有关GAN系组件的问题点，由于它的缺陷密度比GAAS系高5位数，而且缺陷与转位问题非常严重，一般认为LED芯片的缺陷与转位，对LED的劣化、耐久性等特性具有直接、重大的影响。传统在蓝宝石基板上长膜的GAN单结晶膜，由于蓝宝石基板与GAN的格子定数差异极大，因此强大的压缩应力对GAN膜层有相关性，这也是形成缺陷与转位主要原因。最近业者大多改用格子定相近的SIC单结晶晶圆，或是格子定数相同的GAN单结晶晶圆长膜，制作低缺陷、低转位高质量的GAN磊晶(EPITAXIAL)。
获得白色光源的方法有两种，分别是蓝光LED与黄色荧光体组合的拟似白光方式，以及高演色白光方式。拟似白光方式，主要是蓝光LED组合黄色荧光体，构成拟似白光的LED，蓝光LED芯片产生的蓝光一旦被黄色荧光体吸收，荧光体会产生黄光，该光线再与未被黄色荧光体吸收的蓝光混合，形成所谓的拟似白光，该白光LED的发光频谱具有白光与蓝光二种峰值。
高演色白光方式，主要是蓝光LED组合绿色与红色荧光体，形成高演色白光LED，蓝光LED产生的蓝光一旦被荧光体吸收，绿色荧光体会产生绿色光线，红色荧光体则产生红色光线，该绿色光线再与红色光线，以及未被荧光体吸收的蓝光混合形成拟似白光，该白光LED的发光频谱具有红、蓝、绿三种领域的峰值，色再现性也比上述拟似白光方式优秀。
拟似白光方式使用的典型蓝光LED断面结构如图2所示，发光层是由膜厚100NM以下GAN系化合物半导体量子井构成，发光时会形成缺陷与转位，它也是LED劣化原因之一。
