传三星东芝推迟闪存产能扩张 拒绝重蹈内存覆辙
来源:网易科技 作者:—— 时间:2012-07-09 10:41
台湾《电子时报》报道,业内消息来源称,NAND闪存主要供应商韩国三星电子和日本东芝正在制定计划以减缓12英寸晶圆厂产能扩张的速度,防止NAND闪存价格像DRAM一样跌入无底洞。
目前三星和东芝的闪存制程正在由21nm向19nm过渡,随着制程的进步单个晶圆可切割的芯片也越来越多。消息来源表示,由于需求量有限,NAND闪存产品如SSD和U盘成品目前正陷入供过于求的状态售价接连下跌。
消息来源指出,三星和东芝目前最可能采取的手段是推迟计划中12英寸晶圆厂扩建的速度。因Ultrabook和SSD的需求在2012年不尽如人意,预计NAND闪存芯片价格将会持续疲软。但另一阵营的闪存大厂Intel与美光(Micron)联合即IMFT目前尚看不到采取措施的迹象。
在中国大陆市场,NAND闪存的价格在六月趋于稳定但终端市场产品仍然维持下降趋势,分析人士认为售价趋稳是由于三星降低了对内地渠道批发商的供货数量。
相关文章
- •东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET2025-05-21
- •东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸2025-03-13
- •东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器2025-03-07
- •东芝推出符合AEC-Q100标准的车载标准数字隔离器2025-02-28
- •东芝推出高速导通小型光继电器,可缩短半导体测试设备的测试时间2025-02-20
- •X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案2024-12-05
- •东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET2024-11-12
- •东芝推出面向多种车载应用3相直流无刷电机的新款栅极驱动IC2024-10-31
- •东芝推出输出耐压为900 V的小型封装车载光继电器2024-10-24
- •东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率2024-09-25