联电14nmFinFET制程技术后年试产

       联电14nm鳍式电晶体(FinFET)制程技术将于后年初开始试产。联电正全力研发新一代14nmFinFET制程技术，预计效能可较现今28nm制程提升35～40%，可提供通讯晶片与应用处理器低功耗与高效能优势，扩大抢攻通讯与消费性电子IC制造商机。 另一方面，联电28nm产品线则可望于年底量产，并于明年第一季开始贡献营收。

       联电执行长孙世伟表示，14nmFinFET制程技术将会是联电切入未来次世代通讯运算市场的最佳利器。由于晶圆从28跨入20nm制程以下的微缩过程中，势必得使用双重曝光(DoublePatterning)微影技术才能实现，而此一技术无论是微影机台或人力研发等成本都相当高昂，因此造成许多出货量不大的IC设计商不愿投资大笔资金导入，间接使20nm市场需求无法扩大。具备低功耗特性的FinFET制程技术，尽管仍无法省去双重曝光微影技术的成本，但却能大幅提升单位面积内电晶体的整体效能，降低IC设计商因双重曝光微影技术所带来的成本冲击，因此遂成为各家晶圆代工业者争相竞逐的技术。

       孙世伟进一步指出，在IBMFinFET技术授权的基础下，联电将跳过20nm制程，直接跨入14nmFinFET制程技术，藉此为通讯与行动运算领域客户提供更具效能优势的解决方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研发中，预计2014年初可完成验证，并旋即进行试产。

       然而，相较于台积电与格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示将于2014年初量产16/14nmFinFET，联电量产时程显然稍慢，如何后发先至遂成为业界关注焦点。孙世伟强调，尽管联电在此一制程上的研发起步较晚，但相对FinFET制程所需的机台制造技术亦较为成熟，且设备价格也较为便宜，再加上与IBM技术交流等助益，未来量产品质与时程都将可较竞争对手更符合客户需求。

       另一方面，联电28nm产品线则可望于年底量产，并于明年第一季开始贡献营收。孙世伟补充，首波28nmPorting产品在经过几个月元件及制程参数调整后，良率已获得显著提升，且公司亦于第三季成功投片(Tapeout)使用28nm后闸极(Gate-last)高介电质金属闸极(HKMG)制程的行动通讯产品，并陆续与相关客户密切合作中。

       据悉，目前联电晶圆厂产能利用率为84%，其中，40nm先进制程比重持续提升中，且平均销售单价较上季攀升，并已刺激营业收入向上成长，而营收贡献亦从第二季9%成长至第三季的13%，年底前则可望到达15%。

       除标准产品外，联电也开始提供适用于触控晶片领域的解决方案--embeddedFlash特殊制程技术平台，并已有数家主流触控厂商开始采用，而这些特殊制程技术也可望为联电营收成长注入全新动能。

       此外，对于各大晶圆厂皆预期第四季与明年初营收成长将趋缓，孙世伟表示，现今晶圆代工制造正处在库存调整及景气循环周期中，联电预估此波库存调整将持续至明年初，景气回温的脉动将取决于明年总体经济、终端产品市场需求与新产品交替力道强弱；而公司未来将持续扩大客户层面，改善产品组合，并进一步提升产能调配的弹性来降低周期性波动所带来的冲击。（责编：陶圆秀）

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