ST高性能调谐芯片确保4G网速和电池续航能力

　横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及市场领先的手机用半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出新系列高度微型化自适应器件。新产品可动态优化手机天线性能，有助于避免电话掉线，并延长电池续航时间。

　　意法半导体的新产品 ParaScan 集成调谐电容(STPTIC)通过调整电容值，使手机功率放大器与天线之间在各种工作条件下高效传输电能。STPTIC有助于最大限度提升手机射频辐射功率，改善通话性能，解决手机贴近或远离人耳时的多频使用问题，同时尽可能降低放大器功耗，以延长电池续航时间。

　　不同于市场上通常含有多个开关电容的手机天线解决方案，STPTIC可平滑地调整电容，无需分步调整，因此电容调节更精确。此外，STPTIC采用意法半导体的集成无源有源器件(IPAD?)技术整合一个可变电容以及相关控制电路，产品尺寸更小。

　　意法半导体部门副总裁兼专用分立器件与IPAD产品部总经理Ricardo De-Sa-Earp表示：“由于4G手机需要出色的无线性能以确保可靠的通话质量和高速数据服务，以及更长的电池续航时间，我们全新最先进的STPTIC系列产品为未来的4G LTE手机带来一个更加引人注目的调谐电容选择。全球五大手机厂商中已有两家选择了这项技术并用于现有产品的天线匹配设计。”

　　全新STPTIC系列采用最先进的新一代 ParaScan 钛酸锶钡(BST)调谐电容技术。新产品可满足无线系统设计人员的要求，Q系数[1]高值达到2.7GHz，控制电压变化引起的电容变化比高于3:1，在规定工作温度范围内性能稳定。新产品易于设计，需要最少的外部元件，大功率输出能够满足GSM标准要求。

　　STPTIC系列的主要特性：

　　电容值范围：2.7 至 8.2 pF

　　大输出功率(+36 dBm)

　　大调谐范围(3.5:1)

　　高线性器件(IP3 > 60dB)

　　高品质系数(Q 系数)高达2.7 GHz

　　低泄漏电流(小于 100 nA)

　　兼容意法半导体的天线调谐电路(STHVDAC 系列)

　　STPTIC器件采用 6引脚的microDFN 封装和倒装片封装，已向客户提供样片，由意法半导体直接供货。

　　[1] Q 系数是能量损耗与电容贮存电能之比，Q值高说明能量损耗低。高效射频性能需要高Q值电容。由于贮存电能与电能损耗均因频率不同而变化，因此Q值也受频率影响。在900 MHz和1800 MHz时，STPTIC 调谐电容的Q值分别为65和45。

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