ST法国Crolles晶圆厂28纳米FD-SOI制程将投产

ST法国Crolles晶圆厂28纳米FD-SOI制程将投产

       12月13日，意法半导体宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。在实现极其出色的图形、多媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时，而不牺牲电池的使用寿命的情况下，嵌入式处理器需具有市场上最高的性能及最低的功耗，意法半导体28纳米技术的投产可解决这一挑战，满足多媒体和便携应用市场的需求。

       FD-SOI技术平台包括全功能且经过硅验证的设计平台和设计流程。技术平台包括全套的基础程式库（标准单元、存储器生成器、I/O、AMS IP以及高速接口）；设计流程适合开发高速的高能效器件。

       较传统制造技术，FD-SOI技术可在大幅提升性能的同时大幅降低功耗，因此ST-Ericsson选择采用意法半导体的FD-SOI技术设计未来的移动平台。

       意法半导体执行副总裁、数字产品部总经理兼首席技术与制造官Jean-Marc Chery表示：“在产品和技术研发领域，意法半导体在很久以前就开始探索新的解决方案。FD-SOI技术的投产，使意法半导体再次跻身全球最具创新力的半导体技术研发制造企业之列，后端晶圆测试证明，较传统制造技术，FD-SOI在性能和功耗方面具有明显优势，让我们能够在28纳米技术节点创建高成本效益的工业解决方案。ST-Ericsson的 NovaThor ModAp的最大处理频率超过2.5Ghz，在0.6V时达到800MHz，对该平台的子系统的测试证明，该技术符合设计预期，具有灵活性和宽电压范围，可支持电压和频率动态调整（DVFS）。”

       与制造成功同等重要的是，意法半导体发现了从28纳米传统CMOS制程（Bulk CMOS）向 28纳米FD-SOI移植代码库和物理IP的简单方法，由于没有 MOS历史效应，用传统CAD工具和方法设计FD-SOI数字系统级芯片的过程与设计体效应器件完全相同。FD-SOI能够用于制造高能效的器件，必要时，动态体偏压能让器件立即进入高性能模式，而其余时间保持在低泄漏电流模式，这些对于应用软件、操作系统和高速缓存系统都完全透明。较体效应CMOS制程技术，FD-SOI可实现更优异的性能及低工作电压，并拥有非常出色的能效。

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