飞兆推出600V N沟道SuperFET II MOSFET

飞兆推出600V N沟道SuperFET II MOSFET

       服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度，因此要获得成功，设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。

       SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以两种产品系列推出，这些MOSFET的输出电容具有较低的存储电能(Eoss)，可提高轻负载条件下的效率，另外所提供的体二极管稳定性一流，可提高谐振转换器中系统的可靠性。

       这些MOSFET利用先进的电荷平衡技术，导通电阻极低，并且具有较低的栅极电荷(Qg)性能，可实现较低的品质因数(FOM)。 这些器件集成了某些特性，其中包括可极大降低栅极振荡并提高系统整体性能的栅极电阻(Rg)，从而在简化设计中减少了元器件数目，实现了效率和性价比更高的设计。

优势与特点：

SuperFET II MOSFET

●开关速度更快，可最大限度提高系统效率

●功率密度更高

SuperFET II MOSFET Easy-Drive

●易于设计和使用

●开关性能得到优化

●电磁干扰(EMI)噪声低

●异常情况下能可靠运行

封装和报价信息（订购1,000个，美元）

按请求提供样品。交货期：收到订单后8-12周内