飞兆推出800V耐压功率MOSFET

互联网 2015-03-30 a:2:{i:0;s:12:"功率MOSFET";i:1;s:6:"飞兆";}

　　美国飞兆半导体推出了低导通电阻的+800V耐压功率MOSFET。这款产品包含在该公司的“SuperFET II MOSFET”系列中，根据封装和导通电阻的不同，备有26款产品。

　　该公司表示，“新产品主要用于要求耐压高于+600V和650V的电子设备，可以提高这些设备的转换效率、成本效率和可靠性”。新产品的具体用途包括LED照明器具、超薄电视(LED背照灯用电源)、家庭影院用音响设备、AC适配器、服务器、工业用电子设备以及光伏发电用微转换器等。

　　新产品备有TO-247、D2-PAK、TO-220、TO-220F、D-PAK(TO-252)以及I-PAK(TO-251)六种封装。导通电阻(栅源间电压为+10V时的最大值)在60m～4300mΩ的范围内。60mΩ产品采用TO-247封装，据飞兆半导体介绍，“在相同耐压的产品中，60mΩ产品的导通电阻最低”。

　　比如，采用D-PAK封装的850mΩ产品的特性如下。最大连续漏极电流为为6A、最大脉冲漏极电流为18A，输入电容为990pF(标称值)，输出电容为28pF(标称值)。据介绍，这款产品的输出电容比其他竞争对手的产品低8～13%左右。反馈电容为0.74pF(标称值)。总栅极电荷为22nC(标称值)。等效串联电阻为2.4Ω。工作接合部温度范围为-55～+150℃。

　　26款产品均未公布价格。

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