下一代FD－SOI制程将跳过20nm直冲14nm

中电网 2012-12-17 a:1:{i:0;s:4:"14nm";}

在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Consortium所展示的文件显示， FD-SOI 制程技术蓝图现在直接跳过了20奈米节点，直接往14奈米、接着是10奈米发展。

根据SOI Consortium执行总监Horacio Mendez在该场会议上展示的投影片与评论指出，14奈米FD-SOI技术问世的时间点约与英特尔 (Intel)的14奈米FinFET相当，而两者的性能表现差不多，FD-SOI的成本则应该会比FinFET低得多。

而意法半导体(STMicroelectronics，ST )前段制程部门执行副总裁Joel Hartmann则在同一场由SOI Consortium举办的研讨会上，展示该公司FD-SOI制程将由28奈米──2012下半年量产──跳过20奈米，直接前进至14奈米、然后10奈米的技术蓝图。先前ST曾指出，该公司将在2012年7月推出28奈米FD-SOI制程原型，然后会在2013年第三季推出20奈米FD-SOI制程原型。

这意味着FD-SOI技术阵营已经改变了对20奈米节点的策略，因此下一代的FD-SOI技术将与英特尔的14奈米FinFET制程，以及包括台积电(TSMC)、Globalfoundries等晶圆代工厂所提供的其他FinFET制程，在同一节点上竞争。

Hartmann也提供了以ST的28奈米FD-SOI制程与ST-Ericsson多核心ModAp NovaThor处理器搭配，所量测到的最新性能结果；宣称ST的28奈米闸极优先(gate-first) FD -SOI制程与28奈米bulk CMOS制程相较，更能达到低功耗以及高性能。

SOI Consortium 的Mendez展示的技术蓝图显示，FD-SOI现在包括预计2016年问世的10奈米制程节点；而这也会是FD-SOI技术被引介为FinFET制程解决方案选项之一的节点。