东芝即将量产采用第二代19纳米工艺的NAND闪存

东芝即将量产采用第二代19纳米工艺的NAND闪存

    东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，该公司已经开发出第二代19纳米工艺技术，该技术将于本月晚些时候用于量产每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片。

   东芝已经使用该新一代技术开发出全球最小的每单元2比特的64吉比特NAND存储芯片，芯片面积只有94平方毫米。新一代芯片采用了独特的高速写入方法，写入速度可高达25兆字节/秒—是全球速度最快的每单元2比特芯片。

    东芝还在利用该工艺技术开发每单元3比特芯片，并计划在本财年第二季度投入量产。该公司最初将通过开发一种与eMMC兼容的控制器，为智能手机和平板电脑推出3比特的多级单元产品，随后会通过开发与固态硬盘(SSD)兼容的控制器，将产品的应用范围扩大到笔记本电脑领域。

    NAND闪存是存储卡、智能手机、平板电脑和笔记本电脑等多元化消费品系列的基本构成元素，并越来越多地被部署到企业产品中，包括数据中心的固态硬盘。展望未来，东芝将继续推进产品创新与开发，成为市场中一家能够应对各种客户需求的领先公司。