超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR

       恩智浦半导体今日推出BLF188XR– 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计，真实条件下耐用性更强，能够在5dB压缩点承受超过65：1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值输出功率，其工作电压可高达60 V，并且仍能通过极为严格的耐用性测试。其他主要特性包括：更强大的集成ESD保护，能使BLF188XR用于C类操作模式；几种增强型功能，能使XR系列器件在多种应用中易于设计和调试。

      BLF188XR另一项令人关注的特性是其卓越的线性度，该特性使BLF188XR成为高功率线性应用的极佳选择。BLF188XR非常适合频率范围小于300 MHz的大规模工业、科学和医疗(ISM)应用，而广受欢迎的BLF578XR系列的建议使用频率范围为500 MHz以内。恩智浦本周在2013年IEEE MTT-S国际微波研讨会(IMS 2013)上展示BLF188XR，要观看现场演示的相关视频，可点击该链接：

        恩智浦半导体射频功率事业部市场总监Mark Murphy表示：“我们的‘超耐用’系列目前具有更强的耐用性，完全满足最苛刻的射频负载要求，并且采用恩智浦最新的高电压LDMOS技术，轻松超越VDMOS的性能、耐用性和可靠性。全新的BLF188XR借助BLF578XR的成功之处，扩展了我们的产品组合，并带来额外的耐用性、线性度、功率和简化设计。凭借作为ISM市场领先的射频功率产品供应商所创下的骄人业绩，我们已将BLF188XR设计为极具吸引力的解决方案，在激光器、MRI、射频照明和射频干燥以及VHF/FM广播发射机等各种低频应用。”

      上市时间

      合格客户现在可索取BLF188XR工程样品。