节能减排核心技术将获扶持 功率半导体发展现良机

节能减排核心技术将获扶持 功率半导体发展现良机

       据大陆半导体行业协会相关人士透露，有关促进积体电路发展的纲要性档案已草拟完毕，预计第一季发布。上证报获悉，政策扶持重点将主要集中于积体电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。

       功率半导体是节能减排的关键技术和基础技术，被大量应用于消费类电子、新能源汽车、太阳能发电、风电、工业控制和国防装备。据矢野经济研究所统计，未来7年间，全球功率半导体销售额的复合成长率三倍于整个半导体行业3%的营收增速。半导体功率器件的产品门类非常广，主要包括功率MOS晶体管（Power MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD），以及尚未得到大规模应用的采用SiC和GaN的新一代功率半导体。

       从大陆情况来看，随着全球空调、节能电机等电子产品产能向大陆国内转移，功率半导体的需求也成倍的增加，仅IGBT产品的需求规模已超过100亿元(人民币,下同)，成为全球最大的功率半导体器件消费市场。但现状是，IGBT器件仍然严重依赖于国外公司，国产产品市场占有率不足10%。

       面对这种状况，大陆半导体企业关于IGBT的项目纷纷获得政府补助，去年12月2日、23日，台基股份的IGBT产业化项目连续获得专项资金扶持，12月31日，士兰微公告其「高压IGBT晶片工艺技术开发及产业化」项目获得国家专项资金扶持。

       科陆电子作为智慧电表行业的龙头企业，积极拓展智慧电网、节能减排和新能源等多个领域，已经成为节能减排领域的领先企业，也是发改委重点扶持的IGBT应用的重点探索企业。华微电子自主研发的IGBT 产品以及改进后的可控矽产品，也取得了一定程度的市场进展，开发出一些较大应用客户群。

       士兰微在国家科技重大专项（研发多芯片功率模块）的支持下，已成功地完成了高压MOSFET、600V-1200V IGBT、FRD、600V-1200V高压驱动集成电路、功率模块等新技术新产品的研发，相关的产品已陆续开始投入市场，展现了很好的市场前景。

       科陆电子作为智能电表行业的龙头企业，积极拓展智能电网、节能减排和新能源等多个领域，已经成为节能减排领域的领先企业，也是发改委重点扶持的IGBT应用的重点探索企业。公司在2011年获得科技部的专项资金用于碳化硅及硅基IGBT多芯片串联模块研发和测试平台的建立。

       华微电子自主研发的IGBT产品以及改进后的可控硅产品，也取得了一定程度的市场进展，开发出一些较大应用客户群。此外，第三代MOSFET产品和TRENCH工艺平台，在市场上得到了较高的认可度。