PMIC工艺制程加大演进步伐 应对穿戴式设备能耗及尺寸苛求

       耐克的逆潮流而退并没有让高热的可穿戴市场降温，各半导体厂商依然为抢占可穿戴设备市场先机而纷纷推出各种低功耗的MCU、MPU、MEMS、PMIC、无线通信和显示屏等产品，引爆了新一轮的芯片热战。其中又以PMIC最引人关注，在自身做到低功耗的同时，通过高转换效率、能源智能调配，使配置同样容量电池的可穿戴式设备工作时间更长，提升用户体验的满意度。

       只要涉及到电的产品，PMIC不可或缺，不同的系统对PMIC的要求略有不同，近年发展起来的便携式电子产品与时下大热的可穿戴产品对PMIC有着一致的要求：高效率、低功耗、小封装，而可穿戴产品更是受体积和重量的限制，对芯片的尺寸与功耗的要求更为严苛。各大半导体公司纷纷从设计入手，采用创新性的IC设计方法，一方面提升在高负载时的转换效率，另一方面降低轻负载或休眠模式时的功耗，以达致高效率、低功耗的目的。例如凌力尔特采用突发模式 (Burst Mode) 技术，最大限度地降低了备用模式时 IC 本身所需的电流。

       同时，随着模拟/数字混合芯片集成度需求不断提升，PMIC芯片商对工艺制程也不断改进，从现阶段主流的0.18微米制程，跨入0.13/0.11微米，甚至在1-2年内朝90、65/55奈米迈进。这样才能提高逻辑密度及运算效能，同时减轻功耗、尺寸及生产成本。上海华虹宏力半导体制造有限公司战略、市场与发展部门总监胡湘俊在接受记者采访中谈到，华虹宏力的电源管理芯片的工艺技术非常多，而且全面，覆盖从1微米到最先进的0.13微米的工艺节点，电压范围涵盖1.8V到700V，以支持客户开发更有差异化、性价比更高的产品。

       为了降低成本、缩小整个电路板的体积，将多样化的电源管理技术集成在一起，在更小的封装里创造出更高集成度的器件，为便携设备提供更高性能的单芯片系统电源管理芯片（SoC），这是大势所趋。面对时下热门的高集成度SoC问题，胡湘俊表示，对于小线宽的电源管理SoC工艺方面，华虹宏力首创了集成嵌入式存储器的0.13um CD130G-40V工艺和国内最先进的0.18um BCD技术，提供最高达到40V的高耐压要求，在数字电源、尤其是多节锂电管理系统领域有着创新式的应用，非常适合现在移动终端、可穿戴设备续航力强、低功耗的要求。