2014年3D-NAND Flash始萌芽 2015年下半年加温

　　根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，随着下半年即将进入各种行动装置的旺季出货高峰期，我们预期2014年受惠于智能手机、平板计算机与企业级固态硬盘的强劲成长，NAND Flash位元需求年增率为39%，整体产业产值可望较2013年成长5%，来到252亿美元。

　　从近期各大NAND Flash 2014年生产的计划来看，多数NAND Flash厂商在今年提升产能的主要来源主要依旧为制程转进，加上今年2014年开始进入奈米微缩制程倒数的阶段，厂商今年的资本支出主要是针对明年开始逐渐量产的3D-NAND Flash，金额也估计增加至$9.2bn，较去年增加12%YoY。

　　三星电子今年主要产能扩充的部分来自于中国西安厂，而西安厂也在今年五月初正式宣布开始营运，生产目标为3D-NAND Flash，然而考虑3D-NAND Flash的客户认证与应用尚需要时间的情况下，中国西安厂的产能增加将视3D-NAND Flash客户采用的比重来做弹性的规划，因此我们认为三星西安厂今年对于整体产出的实质贡献将十分有限，三星电子今年产出年增率估计为接近40%YoY。

　　东芝阵营的部分，第五半导体工厂的第二阶段将在今年第三季建置完成，相关机台设备将从第四季开始移入，主要将针对先进的1z奈米与3D-NAND Flash，量产时间将从明年第一季开始，同时东芝也积极展现对于3D-NAND的企图心，日前宣布将改建原先旧有的第二半导体工厂，预计最快在2016年将可开始生产全新的3D-NAND Flash，然而新的厂房运转时程表多落在明年与2016年，因此东芝阵营今年的产出成长自积极转进1ynm的情况下，年产出成长率也有38%YoY的水平。

　　海力士在无锡厂火灾后复原的情况良好，原先挪移支持DRAM生产的NAND Flash产能将在第二季转回生产NAND Flash，因此海力士第二季的NAND Flash产能将回到去年第三季火灾前的水平，再加上海力士16奈米的嵌入式产品认证进度良好，因此海力士今年产出从第二季开始将可满足主要OEM客户在下半年旺季的需求。

　　美光阵营新加坡厂DRAM转进NAND Flash的进度也将在这个季度完成，未来美光新加坡的NAND Flash产能将提升至230K/M的水平，成为美光阵营生产NAND Flash相关重要产品如eMMC、eMCP与SSD全球布局的重要基地，因此综合几家NAND Flash厂商今年的投产进度，2014年NAND Flash整体产业的产出位元成长率为38%YoY。

　　从制程转进的角度来看，虽然三星电子凭借自身开发的主控芯片加速整合3D-NAND Flash在嵌入式产品的开发进度，一开始就切入企业级固态硬盘，然而在服务器与云端运算业者认证与测试的时间均较原先预期来的更长的情况下，3D-NAND Flash的进展在今年将相对有限;而东芝阵营虽然在今年第三季开始可小量试产，但从其新建置产能规划的量产时程表多落在明年下半年与2016年的情况看来，今年将无明显的产出贡献;而海力士与美光阵营的3D-NAND Flash的量产时间表也多从明年下半年开始，因此TrendForce调整2014年整年度的3D-NAND Flash产出比重为2%，尚属于萌芽的阶段，待明年下半年起各家的3D-NAND Flash正式开始放量生产，产出比重才有机会逐渐往上。