NAND Flash价格年跌28%　产能竞争加速

NAND Flash价格年跌28%　产能竞争加速

　　NAND Flash市场受到移动装置等需求增加带动，出现迅速成长，然而价格滑落的速度也和出货成长同样迅速。要在市场上生存，主要制造厂之间的生产效能竞争将渐趋激烈。

　　韩联社引用HIS iSuppli资料预估，全球NAND Flash出货量在2013~2018年期间，年平均增加41.8%。

　　以1GB为基准计算的NAND Flash出货量，2013年为355.07亿颗，2014年增加48.6%至527.51亿颗，2015年预计为766.7亿颗、2016年为1,116.65亿颗、2017年为1,516.6亿颗、2018年为2,036.16亿颗等。

　　NAND Flash出货量及价格趋势

　　NAND Flash市场需求成长快速，然而价格滑落也同样迅速。

　　反观NAND Flash价格未来5年间，平均下滑27.7%。以1GB为基准的平均销售价格(ASP)来看，从2013年0.71美元到2014年0.49美元，下滑 31.0%，接着2015年0.36美元、2016年0.26美元、2017年0.20美元、2018年0.14美元等，逐年下滑。

　　整体NAND Flash的销售额同期间年平均增加3.1%。 2014年将较2013年的250.94亿美元增加2.6%，至257.41亿美元。

　　主要制造厂因应需求增加，将扩充生产设备，另一方面，为提升生产效率也必须确保尖端制程技术。和其他半导体产品一样，伴随着NAND Flash的技术发展，价格将持续下滑。要在其中维持竞争力，就必须比其他竞争对手更早导入尖端技术，提升集成度并降低生产成本。

　　三星将Cell以3D垂直结构克服传统水平排列的制程瓶颈，并于2013年投入量产。 2014年5月再推出第二代V NAND，从24层堆叠结构提升到32层，接着又推出32层结构的第三代TLC V NAND，巩固技术主导权。

　　三星电子(Samsung Electronics)8月初推出生产效能较其他产品高2倍的TLC V NAND，吸引业界目光。三星第1季将平面结构的TLC NAND Flash生产比重提升到60%。

　　紧跟在三星之后的东芝(Toshiba)日前决定对三重县四日市工厂执行资本支出，3年间将投资7,000亿日圆(约68.5亿美元)。东芝将在新工厂中生产V NAND产品。目前东芝的TLC生产比重为25%。

　　在1987年领先全球研发出NAND Flash的东芝，日前以涉嫌??偷窃NAND Flash技术为由，对SK海力士(SK Hynix)提出告诉。南韩业界认为，这是东芝牵制SK海力士的策略。

　　SK 海力士2012年投资2.85兆韩元(约27.6亿美元)，在南韩清州建设NAND Flash产线M12，并陆续购并义大利Ideaflash、美国LAMD、台厂银灿eMMC控制器事业部、美国Violin Memory的PCIe事业部、东欧Softeq Development的韧体事业部等，透过购并活动强化NAND Flash事业力量。

　　SK海力士预计2014年内完成V NAND和TLC产品研发，并于2015年投入TLC量产。

　　2013年购并日系大厂尔必达(Elpida)的美光(Micron)，也致力推动NAND Flash事业。美光2013年底将新加坡DRAM场转换为NAND Flash工厂，扩大NAND Flash产量。

　　在NAND Flash市占率方面，三星第1季为37.4%居冠，接着是东之31.9%、美光20.1%、SK海力士10.6%。

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