三星电子投入二代V NAND量产 稳定良率可保市场主导权

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2014-06-06 09:45

三星电子 良率 NAND量产

       据ET News报导,三星电子(Samsung Electronics) 2013年8月首度投入Cell堆叠层数24层的3D V NAND量产,至今约9个月,技术已提升到可生产32层的3D V NAND。 3D制程技术并不容易,是否能尽早确保高良率,将成致胜关键。 
       据报三星电子日前在南韩宣布已开始量产第2代V NAND,可垂直堆叠的层数较第一代V NAND提升30%以上,达32层。 3月三星电子完成向南韩政府申报相关技术出口后,大陆西安厂也将进入生产准备作业。 
       V NAND是为克服存储器制程微细化瓶颈,将电荷撷取快闪存储器(Charge Trap Flash;CTF) Cell垂直堆叠的3D存储器。三星电子2013年开始生产24层V NAND,并推出搭载该V NAND的资讯中心用固态硬碟(SSD)产品。 
       南韩业界认为,三星电子积极确保并升级到32层3D NAND技术,是因3D NAND若要具备更高的竞争力,需要可堆叠32层以上的技术。 
       三星电子在南韩京畿道华城厂中以既有的V NAND设备生产32层V NAND,并未执行资本支出。三星说明,再维持现有设备的前提下,只提升堆叠层数和集成度,提高价格竞争力。 
       南韩业界专家评价,若说三星24层3D V NAND是开拓市场的棋子,32层V NAND则是正式创造需求的产品。 
       三星电子公开量产消息的同时,也公开了搭载32层V NAND的高阶PC用SSD产品。三星存储器事业部副社长全永铉表示,三星电子将适时推出具优越性能的大容量V NAND SSD,引领V NAND大众化时代来临。 
       南韩专家指出,三星电子的3D V NAND策略要成功,首重确保稳定的生产良率。 3D制程要增加垂直堆叠层数并维持堆叠结构,并不是容易的事。 
       目前业界只有三星电子可量产3D V NAND。 SK海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)正在筹备生产,但与三星积极的态度不同,仍在调整脚步。相较于3D制程,两大厂反而较偏重于转换到16纳米微细制程。 
       三星电子迅速投入二代V NAND量产,是为稳固竞争优势,并确保稳定良率。若无法确保生产良率,恐将市场主导权拱手让给其他竞争对手。

 

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