Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能
来源:华强电子网 作者:------ 时间:2015-10-12 10:33
日前Vishay宣布推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封装的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。超薄表面贴装PowerPAK 8x8封装符合RoHS,无卤素,完全无铅,可替换传统的TO-220和TO-263封装的产品,达到节省空间的效果。
PowerPAK? 8x8的结构定义一个源极pin脚为专用的Kelvin源极连接脚,把栅极驱动的返回路径从主要承载电流的源极端子上分开。这样就能防止在大电流路径上出现L x di / dt电压降,避免施加到E系列MOSFET上的栅极驱动电压出现跌落,从而在通信、服务器、计算机、照明和工业应用的电源实现更快的开关速度和更好的耐噪声性能。
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E采用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,在10V电压下导通电阻低至0.135Ω,栅极电荷低至31nC。以及较低的栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。这些数值意味着极低的传导和开关损耗,在功率因数校正、反激式转换器,服务器和通信电源的双开关正激转换器,HID和荧光镇流器照明,消费和计算设备电源适配器,电机驱动、太阳能电池逆变器,以及感应加热和焊接设备中可以实现节能。
这些MOSFET可承受雪崩和换向模式中的高能脉冲,保证极限值100%通过UIS测试。
器件规格表:
SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十六周。
参与Qualcomm调研活动100%中大奖哦!小伙伴们快点行动吧!
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •Vishay近日将启动威世电阻学院计划2016-11-02
- •Vishay 推出新款Power Metal Strip?电阻2016-02-23
- •Vishay推出用于平板电视和便携电子设备的新款环境光传感器2016-02-19
- •Vishay推出新款超薄BiSy单路ESD保护二极管2016-02-17
- •Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积2016-02-16
- •2015年全球功率半导体市场规模减少7.0%2016-02-16
- •Vishay的ENYCAP?系列混合ENergY储能电容器荣获《Electronic Products》年度产品称号2016-01-25
- •大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET2016-01-21
- •Vishay新款三相桥式功率模块可提高系统可靠性并同时降低生产成本2016-01-18
- •Vishay新款双列直插薄膜电阻网络可实现高精度分压器2015-12-28