2016 DRAM市场萎缩 三星等韩厂有望再创新高

　　根据调查资料显示，2015年Q4(10-12月)韩厂(三星+SK Hynix)于全球DRAM市场的市场占有率达74.5%、已连续第6季创下史上新高纪录。

　　就2015年全年来看，三星DRAM市场占有率达45.3%、SK Hynix达27.7%，合计高达73.0%、创史上新高纪录。其中，在伺服器用DRAM市场上，三星市场占有率达50.3%、SK Hynix为32.2%，合计高达82.5%、较2014年上扬5.2个百分点，而排名第3位的美光(Micron)市场占有率仅17.0%;在行动用DRAM市场上，三星市场占有率达52.7%、SK Hynix为27.1%，合计高达79.8%、逼近8成大关。

　　报道指出，三星已成功量产18nm DRAM产品，而SK Hynix于去年10月量产20nm DRAM后，预估会在今年下半年(2016年7-12月)完成18nm DRAM的研发、并预估会在明年导入量产，反观美光则迟迟未能推进至20nm。

　　全球主要市场调查机构虽普遍预估今年(2016年)DRAM市场规模将呈现萎缩，不过韩厂市场占有率有望再创新高。

　　日经新闻曾于去年10月12日报道，美光计划于今后1年内对日本广岛工厂豪砸1,000亿日元资金，导入最新生产设备，量产全球最先端、采用16nm制程技术的DRAM产品，且目标为在2016年上半年确立16nm DRAM的量产技术。

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