武汉新芯着手3D NAND研发

武汉新芯着手3D NAND研发

　　据韩联社报导，大武汉新芯最近发表27兆韩元(约240亿美元)的投资计划，将以武汉为基地，兴建以生产NAND Flash为主的半导体工厂。地方政府已从投资机构湖北省集成电路产业投资基金方面取得钜额资金。

　　韩联社引述EE Times对日本分析师访问指出，武汉新芯想赶上三星至少还需要3~4年时间，而认为武汉新芯想消除与韩厂之间的技术差距，花费时间可能不只如此的分析师也大有人在。

　　NAND Flash领域霸主三星市占率在31~35%左右，并拥有独家3D NAND Flash堆叠技术。即便如此，全球业者对于3D NAND Flash领域龙头三星的追逐战仍在热烈上演。

　　据EE Times的报导，三星与东芝(Toshiba)之间尚有1年的技术差距，由于东芝3D NAND Flash目前仍处于样品水准，而三星已进入量产阶段。依日本分析师研判，样品与量产之间的技术差距大约为1年。

　　此外，英特尔(Intel)将位于大连的逻辑芯片12吋厂改造为3D NAND Flash工厂，正致力发展相关技术;武汉新芯也为了突破初期技术限制，选择与美商Spansion合作。

　　已被Cypress购并的半导体设计公司Spansion，自10年前就致力发展名为mirror-bit的3D NAND 技术。武汉新芯凭藉着对Spansion技术的信心，在2014年启动3D NAND计划，预期2018年就可开始商业化生产。

　　市调机构IHS也评论武汉新芯的挑战，对三星将是一大难题。由于大陆存储器市场有55%的需求源自本国市场，因此政府为了达成半导体自产自销的目标，扶植存储器产业的意志很强烈。对三星而言，现在大陆市场上最大的潜在对手就是武汉新芯。

　　另一方面，尔必达(Elpida)前CEO坂本幸雄与大陆安徽省合肥市政府合作成立半导体新厂兆基科技，还祭出延揽1，000名半导体工程师的猎人头计划，引发关注。兆基科技目前由10多名日本、台湾工程师组成，在草创时期想吸引千名工程师似乎不太可能。

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