赶超三星！东芝64层3D Flash开始试产送样

　　韩国三星电子为全球第一家量产3D架构NAND型快闪记忆体(Flash Memory)的厂商，不过其NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人，宣布已领先全球同业、研发出堆叠64层的3D Flash产品，且开始进行送样。

　　东芝27日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，并自今日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于7月完工的四日市工厂“新第2厂房”进行生产。

　　东芝指出，采用上述制程技术的256Gb(32GB)产品预计将在2017年前半开始进行量产，主要用来抢攻数据中心/PC用SSD、以及智能手机/平板电脑/记忆卡等市场，且今后也计划推出512Gb(64GB)产品。

　　东芝表示，和48层产品相比，此次新研发的64层产品每单位面积的记忆容量扩大至1.4倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加、每bit成本也下滑。

　　日本科技网站PC Watch报道，美国西数(Western Digital)于当地时间26日宣布，已研发出全球首见的64层3D Flash技术，且已透过和东芝共同营运的四日市工厂开始进行试产，之后预计于2017年上半年内整备出可进行正式量产的体制。

　　中国台湾媒体7月20日报道，64层3D NAND Flash极为重要，业界认为64层3D NAND Flash的出现，代表平面NAND Flash时代画上句点。

　　西数26日飙涨3.21%，收53.74美元、创1月8日以来收盘新高水准。

　　Thomson Reuters、时事通信社报道，东芝(Toshiba)统筹记忆体事业的副社长成毛康雄7月6日在投资人说明会上表示，将强化3D Flash生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。

　　日经、韩国先驱报(Korea Herald)7月6日报道，未具名消息指称，东芝打算与西数在未来三年携手，对3-D NAND Flash投资1.5万亿日元(相当于146亿美元)。根据双方协议，东芝、西数会在日本三重县四日市的现有合资厂房新增芯片制造设备，大多数的资金会用来安装3-D NAND的制造装置。

　　韩联社7月12日报道，韩国三星电子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快闪记忆体(Flash Memoy)全球销售额创下历史新高，Q1三星NAND Flash销售额较去年同期成长3.1%至26.15亿美元，增幅是整体市场(成长1.6%)的近2倍水准，市占率也从前一季的42.0%上扬至42.6%。

　　排名第二位东芝(Toshiba)市占率虽从24.0%大幅扬升至28.0%，不过与三星之间仍有高达14.6个百分点的差距;第三位为美国美光(Mircon)的18.8%、韩国SK 海力士则以10.6%的市占率位居第4位。

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