东芝NAND超车失败　三星年底前量产64层

东芝NAND超车失败　三星年底前量产64层

　　上周东芝及WD(西部数据)宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。外电报道，三星将抢先于今年底前开始量产64层3D NAND，三星表示，目标是今年生产4G V-NAND，可能意即为64层3D NAND。

　　SSD(固态硬盘)近年来制程技术演进，成本价格逐渐逼近硬盘(Hard disk)，因此渗透率大增，各大厂陆续将生产DRAM产能逐渐转向NAND Flash(储存型快闪记忆体)，大抢市占率，除了比市占更还要比技术。

　　东芝(Toshiba)及WD于日前同时发布新闻稿宣布，已领先全球研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，正式开始向客户送样，预计将透过本月7月完工的日本四日市工厂“新第 2 厂房”量产，量产时间都预计为2017年上半年。

　　当时市场都解读NAND Flash龙头三星，因64层堆叠技术尚未有产出消息，因此认为将被东芝及WD超车，但根据韩国媒体《Electronics Weekly》报道，三星表示，预计将于今年底前量产4G V-NAND及18纳米制程的DRAM，目前进展顺利。

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