存储的战争 NAND Flash仅是开始

存储的战争 NAND Flash仅是开始

　　在进展缓慢的储存技术世界里，NANDFlash的普及速度算是极快，几乎每种储存产品都有其足迹，最主要原因就是速度。据报导，NANDFlash刚推出时是市场上最昂贵的储存装置，后来供应商发现只要加入相对小量的快闪存储器，便可以大幅提升效能以快闪存储器技术为基础的储存装置也开始大受欢迎。

　　由美光(Micro)和英特尔(Intel)合作开发的3DXPoint技术，以及IBM根据相变化存储器(PhaseChangeMemory)修正后开发的新型态储存装置，在速度、耐用性和重复读写的次数的表现都比目前使用的NANDFlash更佳。

　　3DXPoint开发人员表示，新储存装置的速度和耐用度可达到NANDFlash的1，000倍，IBM则表示其开发的PCM在读取和写入速度方面比NANDFlash快上数百倍，预计可进行1，000万次读取循环。

　　虽然NANDFlash开创了固态硬碟(SSD)的时代，但在新技术不断出现的情况下，或许这只是挑战传统存储器和储存装置概念的开端而已。不论从哪一个角度来看，这些新技术都让NANDFlash看起来像是老旧技术。对于还在摸索NAND效能的使用者来说，很难想像这些数据代表的真正含意。

　　这些新储存装置与SSD基本上完全不同，而且更接近可永久储存的存储器。两者之间的明显的差异也反映在名称上，外界将这些新装置称为储存级存储器(Storage-classmemory)，听起来虽然奇怪，但也算是相当公正且适当的描述。

　　SSD可以达成许多硬碟无法完成的事，而IBM、英特尔和美光开发的新技术，则宣称可以消除储存来源和存储器之间的界线。以效能来看，这些新兴技术允许存储器分层与扩张，除了可以增加存储器的处理能力与资源，还可减少伺服器自永久储存装置存取资料的次数。

　　有趣的是，连传统硬碟(HDD)制造商也可受惠于SSD的普及，因为所有资料都必须有栖身之所。尽管近来推出的高容量NANDFlash装置可以满足需要，但是储存空间超大的硬碟还是有价格方面的优势。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码