格罗方德展示基于先进14nmFinFET工艺技术

格罗方德展示基于先进14nmFinFET工艺技术

　　格罗方德公司今天宣布，已证实运用14纳米FinFET工艺在硅芯片上实现真正长距离56GbpsSerDes性能。作为格罗方德高性能ASIC产品系列的一部分，FX-14具有56GbpsSerDes，致力于为提高功率和性能的客户需求而生，亦为应对最严苛的长距离高性能应用需求而准备。

　　格罗方德56Gbps SerDes内核同时支持 PAM4 和 NRZ信号传导，可补偿超过35dB的插入损耗，因而无须在目前极具挑战性的系统环境中部署昂贵的高功耗中继器。56GbpsSerDes采用突破性的创新架构，实现了业界领先的长距离传输性能，甚至超越了OIF CEI-56G-LR 和 IEEE 802.3cd等新兴的50Gbps行业标准。

　　FX-14产品可提供多种高速SerDes (HSS)解决方案，其制造基础是位于纽约州马耳他市Fab 8工厂内的成熟且经生产验证的14纳米FinFET(14LPP)平台。一流的高性能56Gbps架构可提供业界领先的抖动性能和均衡支持，可在多种高速接口标准下强化系统性能，并可为当前及未来的顶尖网络、计算和存储应用构建高速连接和低功耗的解决方案。

　　“这一里程碑彰显出我们能够设计出最佳的ASIC解决方案，并以极具竞争力的功率和芯片面积为最为严苛的网络和数据中心应用提供业内顶尖的56Gbps性能。”格罗方德全球销售和业务开发部高级副总裁MikeCadigan先生表示：“凭借成功且历经考验的SerDes开发和ASIC技术经验，并与格罗方德的14LPP技术完美结合，我们将助力客户通过集成且高性能的内核将新应用经济高效地推向市场。”

　　“网络带宽的爆发式提升，持续推动着具有业界领先的接口速度和密度的ASIC解决方案的需求，”林利集团(Linley Group)首席分析师Bob Wheeler先生指出：“格罗方德可提供尖端SerDes内核，实现一流ASIC解决方案的快速上市，同时提高下一代网络设备的带宽容量、可扩展性和能效。”

　　凭借众多领先优势，诸如具有超高性能56Gbps SerDes、PCI Express和多个30GbpsSerDes设计，亦支持多种外置内存接口，格罗方德FX-14设计系统进一步巩固了公司在HSS方面的领导地位。格罗方德的嵌入式内存解决方案包括行业最快和功耗最低的嵌入式TCAM，与前代产品相比，其性能提高60%，漏电率降低80%，而SRAM的密度和性能也有所优化。

　　目前，客户正在设计基于14LPP工艺技术的高级ASIC解决方案，该方案使用56Gbps和其他FX-14 SerDes内核。56Gbps SerDes技术目前正在客户渠道中展示，而开发板将于2017年第一季度初投放市场。针对下一代数据通信网络，格罗方德正在开发易于迁移的先进电气解决方案和光学替代解决方案，以便让多种技术实现112Gbps及以上的通信能力。

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