DRAM搭载量跳增 南亚科华邦电合约价看涨2-3成

DRAM搭载量跳增 南亚科华邦电合约价看涨2-3成

　　微软近期取消对高端笔电Win10加收授权金措施，推升商用笔电DRAM搭载量由4GB翻倍到8GB，同时，新款Android智能手机因为支持虚拟现实或扩增实境(VR/AR)游戏，Mobile DRAM搭载容量亦翻倍至4～6GB。受惠于笔电及智能手机DRAM搭载量跳增，第一季合约价看涨2～3成，南亚科、华邦电受惠最大。

　　根据TrendForce统计，11月标准型DRAM合约价持续调涨，主流的4GB DDR3/DDR4模组合约均价涨至18美元， 8GB DDR3/DDR4模组合约均价亦上涨至36美元，平均涨幅约3%。12月虽然PC市场进入备货淡季，但DRAM仍供不应求，4GB DDR3/DDR4模组合约价续涨至18.5～19美元，明年第一季可望顺利站上20美元。

　　业界看好2017上半年DRAM价格的上涨动能，特别是第一季，合约价涨幅预估将达2～3成，原因之一在于微软取消了2015年底发布的Win10作业系统新授权政策，让ODM/OEM厂开始提升高端笔电的DRAM搭载容量。

　　据了解，微软2015年发布的Win10新授权政策中，对于采用英特尔Core i7高端笔电的授权金提高，增加的授权金依电脑配备不同而有所差异，其中若将DRAM容量提升至8GB将导致授权金大增，导致ODM/OEM厂今年推出的笔电几乎只搭载4GB DRAM。但微软已在第四季取消此一政策，ODM/OEM厂第四季后推出的商用笔电均搭载8GB DRAM，预期明年商用笔电的DRAM搭载容量将翻倍至8GB。

　　在Android智能手机需求部份，由于第四季推出的高端机种已开始搭配双镜头，中端以上机种亦因为要支持包括Pokemon Go在内的VR/AR游戏，因此内建的Mobile DRAM容量也由2～3GB大举提高至4～6GB。

　　但由供给面来看，由于三大DRAM厂并无投资新晶圆厂，现有产能在进行20纳米或1x/1y纳米微缩时，又会导致产能自然减损，2017年DRAM市场仍将供不应求。美光执行长Mark Durcan日前在法说会中表示，由于PC及智能手机的DRAM搭载量持续提升，DRAM市场产能未见明显扩充，预估2017年全球DRAM供给位元成长率仅15～20%，但长期来看需求的位元成长率上看20～25%。

　　以目前DRAM厂与ODM/OEM厂的价格协商来看，第一季DDR3/DDR4模组合约均价将上看22～24美元，不排除上看25美元，且将带动利基型DRAM价格跟涨，将有助于南亚科及华邦电明年第一季营收优于今年第四季。

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