漫漫存储路 中国还有几道关卡待过

来源:eetimes 作者:--- 时间:2016-12-30 09:32

存储 NAND Flash DRAM 存储 NAND Flash DRAM

怎么获取技术?

  如果真如我们所说,XMC的3D NAND Flash技术不够可靠,那么对于长江存储来说,可能的选择是什么?

  假设中国又不能从美国人手上买到一个存储芯片公司(如美光),中国将怎么获取到存储的核心技术?JV是一个好选择么?

  换种方式,假设中国真不能买到美光,又能否获得美光的相关Flash技术授权?市场是也有传言中国将会和美光签订相关的合作协议。

  IC Insight的分析师认为,由于美国、日本和韩国等的层层阻挠,中国是不可能轻易能收购到这些国家的企业,甚至相关合作也会是困难重重,所以中国获得先进的NVM技术和先进DRAM技术的过程,一定是困难重重的。

  他还指出,根据存储的发展规律,现在似乎也进入了存储产业的周期性转移阶段,中国能否效仿当年的韩国从日本手上抢来存储产业,将同样的故事在韩国的身上重演,我们保留观察。但我们眼见的就是中国台湾在过去二十年的存储尝试是失败的。

  从现状看来,授权应该是中国获得相关技术的最可行方式了。专利授权是最好的一个途径。而根据中国过往的产业发展经验,这也是有成功经验可参考的。

  例如美光曾经将一些专利卖给了技术研究机构和专利授权公司Round Rock Research LLC,他们拥有丰富的产品线,而产品布局也贯穿整个亚洲、美洲和欧洲。这是中国可以获取专利的一个方向。

  另外,美光还和很多企业有交叉授权,中间有些公司就能提供相关的授权服务。这些公司当中就包括了Quatela Lynch McCurdy。

  我们认为XMC迟早会获得相关技术授权,区别只是时间迟早、价格高低以及合作条件的问题。

  至于具体会获得哪些技术,分析人士指出,美光的3D NAND FLASH是应该没问题的,但是在Intel和美光共同开发的3D Xpoint上。相关人士指出,现阶段Intel是不会轻易点头的。

  但从某个角度看,这也并非是不可能。因为中国和这些跨国巨头的合作非常紧密。

  大家应该还记得在2014年,Intel和紫光集团的一个深度的合作。所以一切都是有可能的。

  中国DRAM的前景又如何?

  据作者了解到,按照早期规划,长江存储原本是想既做Flash,又做DRAM的。但经过了几个月的运营,形势逐渐明朗,长江存储还是只专注于做NAND Flash。

  但是DRAM对中国来说,同样重要,所以中国也不会忽视。另外跟FLASH相比,DRAM的供应商更少,且专利什么的更集中,竞争对手少,但是强大。

  联电和福建政府打造的晋华项目,就是瞄准DRAM而去的。双方的合作在今年五月份宣布的,这个合作是中国半导体建设的一个重要组成部分。

  根据合作协议,联电会在台湾成立一个百人规模的研发团队,而福建晋华则提供研发所需的资金。根据分析人士透露,联电本身对于进入DRAM是没有什么兴趣,但他们看好和中国合作伙伴共同推进先进技术后带来的收益。

  晋华项目将投资56.5亿美元在晋江建立一个300mm晶圆厂,投入先进存储技术的研发。计划2018年9月试产,并达到月产6万片的规模。据透露,初期将会导入32nm制程。

  韩国等着,中国来啦

  业界传言,三星、SK海力士和美光之间有一个私下协议,就是联手阻碍中国存储的崛起。

  但是另外也有人指出,除三星外的其他供应商对于三星长达十数年的存储领先感到厌烦,他们希望联合中国把三星拉下马。

  很多硅谷芯片专家也指出,如果在不久的将来,某个或几个厂商和中国合作,目的就是为了打破三星的垄断,这也不会让人惊讶。

  韩国人,中国来了,做好准备吧!

  但对于中国存储来说,就算拿到了技术,未来还有很多路要走,因为他们的目标是爬上第一阵型和领先厂商并驾齐驱,甚至寻机超越。

  而这则是一个漫长、艰苦且耗资巨大的过程。



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