美光2017年规划曝光或进入64层3D NAND Flash
来源:半导体行业观察 作者:--- 时间:2017-02-06 10:47
在Micron 2017年度的分析师会议上,这家公司给出一些方向与目标。 没有任何新产品公布,但2017年Micron这家公司的产品规划可能有一个大致方向,同时也包含下一代GPU用存储的规划。
2016年,Micron与Intel的合资企业成为第二家供应3D NAND Flash的公司。当时32层的第一代3D NAND Flash已经在不少产品上导入,现在开始进入64层3D NAND Flash。然而,现阶段64层3D NAND Flash在采样阶段,预计要到2017年才会进入大量生产阶段。
512Gb的64层3D TLC NAND Flash是Micron的重点之一,但Micron也会提供256Gb的3D TLC NAND Flash。
有趣的是,256Gb TLC NAND Flash的尺寸为59mm?,或者是4.3 Gb /mm?;相比于其他竞争品牌的64层3D NAND Flash,面积要小了25%左右。
此外,Micron也在QLC NAND Flash部分有所投入,但他们没有对此揭露太多资讯。
存储部分,主要是GPU用的GDDR6以及制程的推进。
Micron预期会在2017年开始使用16nm(1Xnm)生产GDDR5存储,但确认时间不详,另外1Ynm与1Znm的制程也在进行中,其中1Ynm会率先导入,时间点在2017下半年。 SK Hynix在HBM存储的布局,Micron似乎没有任何回应,但这家公司在GDDR5X与GDDR6有着相当深的投入。
预计我们可以在2017年底或是2018年初见见到Micron在GDDR6领域的讯息。
3D XPoint部分也相当低调,没有任何新资讯或是产品揭露。
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