产出比重将破50% Q3 3D NAND Flash正式成为主流制程

产出比重将破50% Q3 3D NAND Flash正式成为主流制程

　　集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示，随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3D-NAND Flash产能开出，在三星及美光等领头羊带领下，预估第三季3D-NAND Flash产出比重将正式超越50%，成为 NAND Flash市场的主流制程，此外，由于新一代iPhone的备货需求将至，以及SSD应用需求稳健成长，预估下半年整体NAND Flash市场仍维持供需较为吃紧的态势。

　　DRAMeXchange指出，从供给面来看，各家原厂3D-NAND Flash新增的产能逐渐增加，后续观察的重点将在良率提升的速度及导入eMMC与SSD等各项OEM的产品的速度，同时，整体NAND Flash供货吃紧的态势，也取决于下半年新一代iPhone需求的强弱而定。

　　三星、美光3D-NAND Flash产出比重已逾50%，SK海力士冲刺72层产品

　　从各家进度来看，三星依旧维持3D-NAND Flash竞赛的领先地位，48层堆栈的3D-NAND Flash已广泛应用在企业级固态硬盘、消费级固态硬盘和行动式NAND Flash装置上，且三星凭借着较佳的性价比快速囊括市占率。现在，三星平泽厂机台装机已告完毕，预计将从七月起正式生产最新64层的3D-NAND Flash。

　　东芝与西数阵营部分，虽然之前已有48层堆栈的3D-NAND Flash，但整体发展重点仍在64层堆栈的产品上，预计最快于五月底开始送样测试，下半年可望顺利量产。

　　美光目前3D-NAND Flash产出比重也超越50%，仅次于第一名的三星，目前其32层堆栈的3D-NAND Flash不仅为各大模组厂的主要用料，美光品牌的固态硬盘出货也十分畅旺。

　　SK海力士继之前36层与48层之后，日前也宣布直接推出72层的3D-NAND Flash产品，预期下半年量产后可快速拉近与领先集团的距离。

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