科技部：国产14nm工艺明年量产，7nm、5nm启动研发

　　随着厦门联芯日前宣布量产28nm工艺，国内半导体芯片制造行业已经有中芯国际及联芯两家公司量产28nm工艺了，不过与TSMC、三星、Intel相比，国内的28nm工艺依然要落后两三代水平，这几家公司今年已经或者即将量产10nm工艺。昨天科技部召开重大科技专项成果发布会，宣布2万科技工作者9年努力的“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”取得阶段性成果，2018年将量产14nm工艺，十三五期间还将启动7nm、5nm工艺研发。

　　“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”2008年立项，由北京市、上海市政府牵头，这也是唯一由地方政府牵头组织实施的国家科技重大专项，共有200多家企事业单位、2万多名科学工作者参与技术攻关，集中在北京、上海、江苏、沈阳、深圳和武汉等6个产业聚集区。专项合理布局，引导政府投入要素资源，其中京沪两地累计投入103亿元用于专项配套。

　　在昨天的科技成果发布会上，科技部表示通过9年艰苦攻关，我国成功研制14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种高端装备和靶材、抛光液等100多种材料产品，性能达到国际先进水平，通过了大生产线的严格考核，开始批量应用并出口到海外，实现了从无到有的突破，填补了产业链空白。同时，制造工艺与封装集成由弱渐强，技术水平飞速跨越，国际竞争力大幅提升。

　　2008年以前，我国集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米、研发工艺为90纳米，专项实施至今，主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，并形成自主知识产权。封装企业三维高密度集成技术研发也达到国际先进水平。可喜的还有，集成电路专项高度重视创新技术研究，从战略高度布局核心技术的知识产权，已申请了2.3万余项国内发明专利和2000多项国际发明专利，所形成的知识产权体系使国内企业在国际竞争中的实力和地位发生了巨大变化，发展模式也从“引进消化吸收再创新”转变为“自主研发为主加国际合作”的新模式。

　　除了上述成果，集成电路专项技术总师叶甜春还表示我国集成电路专项已经在14纳米装备、工艺、封装、材料等方面进行了系统部署，预计到2018年将全面进入产业化。“十三五”还将重点支持7—5纳米工艺和三维存储器等国际先进技术的研发。

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