格芯7纳米FinFET2018年下半年量产

格芯7纳米FinFET2018年下半年量产

　　格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。

　　2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的Fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。

　　格芯CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett先生表示：“我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。我们看到，格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在最前沿领域内获取世界级的技术蓝图。”

　　格芯还将持续投资下一代技术节点的研究与开发。通过与合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7纳米测试芯片。此后，格芯又于近日宣布业内首款基于硅纳米片晶体管的5纳米的样片。目前，格芯正在探索一系列新的晶体管架构，以帮助其客户迈进下一个互联的智能时代。

　　格芯的7纳米FinFET技术充分利用了其在14纳米FinFET技术上的批量制造经验，该技术于2016年初2月8日在Fab 8晶圆厂中开始生产。自那时起，格芯已为广泛的客户提供了“一次成功”的设计。

　　为了加快7LP的量产进程，格芯正在持续投资最新的工艺设备能力，包括在今年下半年首次购进两个超紫外光(EUV)光刻工具。7LP的初始量产提升将依托传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将迁移至EUV光刻技术。

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