三星宣布量产64层NAND闪存

三星宣布量产64层NAND闪存

　　三星电子 15 日宣布，最新 64 层 256GB V-NAND 闪存已进入量产，与此同时，三星还将扩展包含服务器、PC 与行动装置的储存解决方案。

　　64 层 V-NAND 闪存用称为第四代 V-NAND 芯片，南韩 ITtimes、com 报导指出，三星为稳固领先优势，打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。

　　其实，三星今年 1 月已先为某关键客户，打造第一颗内含 64 层 V-NAND 芯片的固态硬盘(SSD)，自此之后，三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用，务求与 IT 产业同步化。

　　三星 64 层 V-NAND 闪存传输速度达每秒 1Gb，市面上同类型内存产品中无人能出其右。 若与 48 层产品相比，64 层闪存的省电效能约高出三成，可靠性则增加约两城。

　　三星目前是 NAND 龙头，2016 年市占率为 36%，在第四代 NAND 芯片量产后，三星可能陆续调降第二、三代芯片价格，除可进一步扩大市占外，还将对美光、东芝、Western Digital 等同业造成降价压力。

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