SK海力士扩产 DRAM涨势或提前结束

SK海力士扩产 DRAM涨势或提前结束

　　韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)宣布今年资本支出追加至86.1亿美元，进行3D NAND Flash和DRAM两大存储器扩产，让3D NAND型存储器战火提前引爆。市场正密切注意三星和美光的动作，担心DRAM涨势将提前划下句点。

　　韩国存储器大厂率先提早资本支出的行动，为两大存储器一片缺货声中，投下震撼弹。根据韩国媒体报导，SK海力士追加今年资本支出至9.6万亿韩元(约86.1亿美元)，比年初宣布的数字增加37%，比去年的资本支出增逾五成。

　　SK海力士上修资本支出，想让新厂提前完工。SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主;另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年，如今将提早至明年第4季，比预定时间提早半年。

　　虽然SK海力士强调这次投资只要用于技术升级，即使新厂落成，也不会造成整体存储器暴增，估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%，不会造成存储器供过于求。

　　不过，SK海力士这项扩大投资，已引起法人圈担心存储器乌云将提前飘至。稍早已有美系外资下修美光营运展望，导致美光股价自32.95美元高档，连续五个交易日呈现下跌，上周五(28日)跌破30美元支撑，以29.28美元作收，跌幅3.2%，波段跌幅逾11%。

　　某市调机构稍早更认为，未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西数、武汉新芯、长江存储，都大举提高3D NAND Flash产能，而且未来还有新厂商也会加入战场，3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。

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