格芯发布基于领先的FDX FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案

格芯发布基于领先的FDX FD-SOI技术平台的毫米波和射频/模拟解决方案

  格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX-rfa)解决方案，以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX-mmWave)解决方案。

　　该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台，该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合，为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率，适用于对性能和功耗都有超高要求的应用，例如LTE-A、窄带物联网与5G蜂窝收发器、GPS WiFi与WiGig集成芯片、以及各种采用集成eMRAM技术的物联网和汽车雷达应用等。

　　“随着客户不断推动智能互联设备的领域，格芯也不断推出差异化的FDX系列产品，助力客户的创新，”格芯CMOS业务部门高级副总裁Gregg Bartlett 表示，“日新月异的主流移动和物联网市场要求射频和模拟技术不断创新发展。格芯的22FDX-rfa整合了卓越的射频和模拟功能，有助于开发兼具功耗、性能和成本优势的差异化移动和物联网产品。针对新兴的毫米波市场，格芯的22FDX-mmWave技术可实现无与伦比的毫米波性能，为客户交付差异化的相控阵波束成型以及其它拥有最低功耗、最高性能与集成度的毫米波系统解决方案。”

　　格芯优化了22FDX射频与毫米波产品，从而能够为诸如单片系统窄带物联网以及5G毫米波束成型相控阵系统等领先的连接应用提供高性能天线开关与功率放大器集成解决方案。

　　作为FinFET技术之外的选择，22FDX-rfa不仅能够整合这些前端模块组件，而且与FinFET相比，还可以降低热噪声并达到相同的自增益放大效果，同时其自增益至少为体硅的两倍。同时，射频性能也更为出色，且FD-SOI技术本身所具有特征还进一步减少了30%的浸没式光刻层。

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