“三顾茅庐”聘请梁孟松任CEO 中芯国际有望在14纳米“亮剑”出击

“三顾茅庐”聘请梁孟松任CEO 中芯国际有望在14纳米“亮剑”出击

2017年10月16日，中芯国际宣布任命赵海军、梁孟松博士为中芯国际联合首席执行官兼执行董事。

　　我国半导体行业正处于即将爆发的临界点，2014年6月出台的《国家集成电路产业发展推进纲要》中提出了具体目标：到2015年电路线宽28纳米制造工艺实现规模量产，到2020年14纳米制造工艺实现规模量产，而到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平。

　　要实现这一宏伟目标，目前来看资金已不是问题，核心技术差距才是最大掣肘，而半导体核心技术仅靠自身摸索短期难见成效，关键技术人才的引进是行之有效的快速突破技术短板的方式。这也是中芯国际“三顾茅庐”邀请梁孟松加入战队的原因。

　　梁孟松于1992年加入台积电，2003年以自主技术击败IBM扬名全球的130纳米“铜工艺”，被认为其功劳仅次于资深研发副总蒋尚义，随后在台积电的工艺演进中继续担任重要角色，更是FinFET工艺的重要负责人;2011年入职三星，三星14纳米FinFET工艺在梁孟松的技术指导下研发，在某种程度上完成了对台积电16纳米FinFET的反超，三星也凭此工艺抢下了高通的订单。而中芯国际作为中国大陆最具代表性的晶圆代工厂商，被国家寄予厚望实现自主先进工艺制造，此次吸引梁孟松的加入可谓意义非凡。

　　首先，梁孟松自身的影响力将为中芯国际的“腾飞”提振士气，梁孟松有着33年夯实的半导体IC和晶圆制造经验积累，曾师承FinFET发明人之一的胡正明门下，先后就职AMD、台积电(16年)和三星(7年)担任技术研发要职并业绩卓著，在行业内已树立其起强大的影响力;二是梁孟松对14纳米、10纳米和7纳米 FinFET先进工艺技术的掌握以及管理经验的谙熟，将直接为中芯国际带来利好。目前，中芯国际恰逢28纳米和14纳米的关键节点，而梁孟松的加入，将直接加速其14纳米工艺的研发进程。

　　当然，梁孟松带领中芯国际突围仍面临不小的挑战。目前中芯国际主要的收益仍来自0.15um-0.18um工艺，最先进的28纳米营收目前只占6.6%，而14纳米工艺才刚投入研发，主要竞争对手台积电、三星等已成熟量产14纳米工艺及10纳米工艺，7纳米已开始进入研发阶段。同时，联电今年Q2也在14纳米开始贡献收入(1%)，28纳米的贡献已经达到了28%。相比之下，中芯国际的差距还很明显。如何缩短此技术与时间差，是一个很大的挑战。虽然中芯国际在28纳米低端Polysion良率不错，但在主流28纳米HKMG良率方面一直不如预期。如果中芯国际不能在28纳米HKMG、14纳米FinFET先进制程追赶上对手，在越来越高难度的10纳米和7纳米则更难突破。

　　不仅如此，台积电、联电等对手已经把战火烧至“家门口”，除联电厦门12寸厂已开始导入28纳米之外，台积电南京厂更将于2018年下半年投入12寸16纳米制程，中芯国际恐被联电和台积电用28/16纳米的攻势前后夹击，其竞争压力将日渐增大。

　　虽然挑战客观存在，但相信梁孟松的加入非常有希望打破这一技术瓶颈，甚至打破现有的竞争格局。未来几年，中芯国际必定加速28纳米HKMG、14纳米FinFET制程的研发速度，至少对于晶圆代工厂如联电、Global Foundries有实力抗衡。台积电、三星虽然短时间无忧，但中芯国际恐怕仍会加强对台湾晶圆代工厂的挖角，届时台积电势必有人才流失的风险及因此带来的心理压力，这也是一种侧面敲打。

　　总体来看，中国发展半导体产业已不是单一企业的志愿，而是整个国家政策倾所有资源来扶植。在宽松政策的背景下，梁孟松加入中芯国际带来先进晶圆工艺技术，将有望助力中芯国际披荆斩棘步入一流晶圆制造大厂阵列，正式拉开大陆半导体晶圆完全“自主”的序幕。

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