ST完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术

ST完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术

      意法半导体的PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路，能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。

　　不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%，PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品，而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET，是一个能效特别高的替代方案。与这些产品不同，只用一个PWD13F60即可完成一个单相全桥设计，这让内部MOSFET管没有一个被闲置。新全桥模块可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。

　　利用意法半导体的高压 BCD6s-Offline制造工艺，PWD13F60集成了功率 MOSFET栅驱动器和上桥臂驱动自举二极管，这样设计的好处是简化电路板设计，精简组装过程，节省外部元器件。栅驱动器经过优化改进，取得了高开关可靠性和低EMI(电磁干扰)。该系统封装还有交叉导通防护和欠压锁保护功能，有助于进一步降低占位面积，同时确保系统安全。

　　PWD13F60的其它特性包括低至6.5V的宽工作电压，配置灵活性和设计简易性得到最大限度提升。此外，新系统封装输入引脚还接受 3.3V-15V逻辑信号，连接微控制器(MCU)、数字处理器(DSP)或霍尔传感器十分容易。

　　PWD13F60即日上市，采用高散热效率的多基岛VFQFPN封装。

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