Intel 10nm工艺会引入新材料“钴”，电迁移性能可提升1000倍

Intel 10nm工艺会引入新材料“钴”，电迁移性能可提升1000倍

　　Intel的10nm已经一拖再拖了，他曾经在2012年表示会在2015年推出第一款10nm工艺产品，然而现在已经2017年年底了，都没有见到采用10nm工艺的产品上市，其实14nm工艺已经拖够久的了。

　　图片来源：IEDM2017

　　然而这慢长的等待最终会带来好处的，Computerbase表示Intel的10nm工艺中会使用到钴这种金属代替部分的铜，而其他半导体厂目前实用钴这种材料的程度都没有Intel这么高，这使Intel的10nm工艺有了更多的卖点，使用钴新材料后会带来更多好处，作为几乎所有半导体公司的供应商的Applied Materials三年前曾说过钴这种材料是互联网15年来最大的变革，然而要把这种材料投入实用实在太耗时间了，太过昂贵而且也不是必须的。

　　不过Globalfoundries其实已经在High-K Metal Gate工艺和铜工艺上使用了钴这种材料很多年了，只不过现在的14nm工艺的技术是来源于三星的，不知道有没有使用到钴这种材料，AMD现在的14nm处理器在频率上明显低于那些28nm工艺的产品。

　　图片来源：Applied Materials

　　Intel希望用10nm工艺表现他依然是半导体行业的领先者，虽然说他现在在纸面上的纳米竞赛已经输了，然而Intel的14nm工艺明显是最好的，甚至要优于10nm LP和12nm LPP，这也是为什么Intel够胆把自家的10nm与别家的7nm相提并论。

　　Intel的10nm采用钴代替铜作为下部互联层可使电迁移性能提高1000倍，同时层间通孔电阻应该会减少一半，这必然会大大增加芯片的耐用性，另外Intel会把钴用在数个不同的地方，包括触点、M0和M1层的金属，M2到M5层则是主要用铜不过表面用钴覆盖。

　　那么Intel的10nm到底什么时候来呢?Intel表示今年内会放出10nm工艺的Cannon Lake，然而今年就剩下19天了，其实Intel现在应该可以生产10nm的芯片了，然而良品率可能比较低，因为这10nm一下子加太新东西进去了，第一代10nm工艺的Cannon Lake可能比较短命，第二代的Ice Lake明年下半年应该就会出来，Cannon Lake可能会成为像今年的Kaby Lake一样的短命鬼。

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