美光发布基于64层3D NAND 的UFS 2.1：最大容量256GB

美光发布基于64层3D NAND 的UFS 2.1：最大容量256GB

      美光发布了符合UFS2.1标准的嵌入式产品，支持双通道双向读写，G3-2L接口可提供的传输速度是eMMC5.1的两倍，满足捕获高分辨率照片或录制4K视频存储时所需的数据访问速度需求，也可帮助智能手机制造商在人工智能(AI)、虚拟现实、面部识别等方面提高用户体验。

　　美光新的UFS2.1产品是基于第二代64层3D TLC NAND技术，与前代TLC 3D NAND相比，美光新64层3D TLC NAND产品性能提升50%，而且在同样芯片面积下存储密度翻倍。

　　这些年，智能型手机快速迭代，尤其是高端旗舰机，再加上拍照、多媒体、下载、APP等应用需求的增加，存储容量的需求随之大增。为了更快、更有效地访问数据，美光基于64层3D TLC NAND技术的UFS2.1新产品可提供高性能和低延迟，且在保证较小的尺寸的同时提供64GB、128GB和256GB三种容量选择。

　　2016年苹果iPhone7增加256GB容量，日前三星发布的Galaxy S9/S9+搭载的是8核高通骁龙845处理器，4GB/6GB Mobile DRAM，存储容量也升级到了256GB，预计2018年将有更多的旗舰机配置256GB容量。随着数据存储需求的不断增加，预计到2020年高端旗舰机存储容量将由现在的256GB升级到512GB或1TB。

　　美光移动业务营销副总裁Gino Skulick 表示：“我们都期待未来智能型手机迎来更多大胆的创新，为了顺应这一趋势，存储将扮演着越来越重要的角色。美光不仅提供Mobile DRAM和3D NAND，我们领先的设计还可提供最先进智能型手机所需性能。”

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