台积电7nm工艺量产：功耗降低65%，未来5nm再降20%功耗

台积电7nm工艺量产：功耗降低65%，未来5nm再降20%功耗

　　英特尔在14nm、10nm工艺上的难产给了其他半导体公司赶超的机会，由于2019年之前都无法推出10nm芯片，而三星、台积电的7nm工艺今年就会量产了，这一轮竞争中英特尔真的输了，哪怕官方多次宣布自家的10nm工艺在性能、晶体管密度上比其他家的7nm节点还好也没用了。在7nm节点，台积电已经是雄心勃勃，除了AMD官方提到的7nm Vega芯片之外，台积电还手握50多个7nm芯片流片，新工艺性能可提升35%或者功耗降低65%，未来升级到5nm之后性能还能再提升15%，功耗降低20%。

　　EEtimes今天报道了台积电的工艺路线图，官方公布了7nm及未来的5nm工艺细节，首先是第一代7nm工艺，今年将会量产，后面还有50多个芯片陆续流片，涉及到CPU、GPU、AI芯片、加密货币芯片、网络、游戏、5G、自动驾驶芯片等等行业。

　　7nm工艺的性能将提升35%，或者功耗降低65%，芯片密度达到3倍水平——原文这里没提到是跟谁对比，不过不可能是10nm，台积电官网上跟10nm工艺对比的结果是性能提升20%或者功耗降低40%，芯片密度1.6倍，因此这里对比的很可能是台积电的16nm工艺。

　　第一代7nm工艺没有使用EUV光刻工艺，N7+节点才会用上EUV光刻机，不过这个是制造过程的改变，N7+工艺的性能没什么变化，晶体管密度提升大概20%，功耗降低10%。

　　此外，N7+工艺虽然目前的良率不错，但是还有一些关键单元要到今年底或者明年初才能搞定，完整用于N7+工艺的EDA工具大概要等到8月份。

　　7nm之后台积电今年还要风险试产5nm工艺，与最初7nm工艺相比，台积电的5nm工艺大概能再降低20%的能耗，晶体管密度再高1.8倍，至于性能，预计能提升15%，不过使用新设备的话可能会提升25%。

　　按照之前的规划，台积电的5nm工艺预计会在2020年量产，那时候英特尔顺利的话可能会进入7nm节点了。

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