英特尔、美光64层QLC 3D NAND备受关注

英特尔、美光64层QLC 3D NAND备受关注

　　上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC(4bits/cell)架构相较于TLC(3bits/cell)容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注，同时恐激化各家原厂展开96层3D NAND技术竞争，然而市场更多的是关心NAND Flash价格走向将如何。

　　由于QLC高密度优势，再加上各家原厂非常看好SSD市场发展前景，所以会优先用于SSD产品上，所以对SSD市场有一定的影响。

　　据中国闪存市场ChinaFlashMarket本周(5月29日)报价，SSD 120GB价格下滑至26.5美金，2018年累计下滑17%;240GB价格维持在44美金，2018年已累计下滑27%，且已跌回2016年历史低点;480GB价格则由130美金下滑至84美金，累计下滑35%。

　　在2016年和2017年NAND Flash涨价之后，经过近一年的价格调整，截止到2018年5底NAND Flash基本已回到2016下半年的价格水平，而在原厂64层3D NAND扩大应用，以及新建Fab工厂等消息的刺激下，NAND Flash价格恐还会进一步下滑。

　　在NAND Flash跌价的行情下，拥有成本优势是在市场上竞争的关键，据DIGITIMES消息，传三星除了扩大64层3D NAND生产比重，还将于2018年抢先量产96层3D NAND，并将于韩国华城、平泽厂量产，并投入128层3D NAND研发。但也有相关人士表示，由于96层3D NAND技术难度相对较大，或以92层作为过渡技术。

　　东芝与西部数据(WD)曾宣布96层3D NAND已完成研发，并屡次扩大Fab6工厂的投资金额，其制造设备投资就是用于96层3D NAND量产而准备，再加上Fab6二期和Fab7工厂的建设动作，以及三星西安厂二期开始新建，三星与东芝的NAND Flash霸主之争即将拉开序幕。

　　英特尔和美光除了推出64层QLC提高技术优势，曾表示第三代3D NAND技术(96层)的开发将于2018年年底或2019年初交付，预计英特尔和美光96层3D NAND可在2019下半年实现量产。

　　至于SK海力士目前NAND Flash技术没有明确的消息，但在三星、东芝、美光、英特尔积极投入96层3D NAND技术竞争中，相信SK海力士在2018年也会积极进行96层3D NAND的研发工作，若顺利也有望在2019年投入量产。

　　随着各家原厂3D NAND技术的发展，尤其是未来96层3D NAND的面世，预计NAND Flash市场供应量将大幅增加，同时NAND Flash每GB的成本也会降低。不过，高端智能型手机容量需求正在向128GB以上升级，而且数据中心、服务器领域SSD，以及消费类SSD市场需求也正在不断增加，未来NAND Flash市场将呈现健康发展的趋势，市场可期。

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