三星/WD相继出招　增添QLC 3D NAND普及力道

三星/WD相继出招　增添QLC 3D NAND普及力道

　　瞄准3D NAND市场商机，NAND Flash厂相继于于2018下半年推出QLC架构的3D NAND Flash。除了英特尔(Intel)与美光科技(Micron)于日前宣布，双方联手开发的4bits/cell(QLC)3D NAND快闪存储器开始投产与出货外;近期三星(Samsung)与Western Digital也相继发表QLC 3D NAND Flash布局计划。三星将开始量产款首款搭载QLC快闪存储器的消费性SSD，而Western Digital则宣布已成功开发出第二代4-bits-per-cell 3D NAND架构，目前已开始送样，预计今年量产出货，并于旗下SanDisk品牌之消费性产品率先使用。

　　三星电子存储器销售和市场营销执行副总裁Jaesoo Han表示，随着该公司将产品阵容扩展到消费性电子市场和企业市场后，4-bits SSD产品将会迅速普及，扩展到任何市场。

　　三星指出，4-Bit QLC快闪存储器能够让SSD达到540MB/s的持续读取速度，以及520MB/s的持续写入速度;且QLC架构的快闪存储器可以让这些SSD产品从 1TB起步，最高达到4TB的容量。目前已开始量产的消费级SSD，一共有1TB、2TB和4TB三种规格。

　　另一方面，Western Digital则宣布已成功开发第二代96层的BiCS4 3D NAND　Flash。透过专为96层BiCS4产品导入的QLC技术，已成功使单颗粒3D NAND的储存容量高达1.33 Tb(Terabits)。

　　Western Digital硅芯片技术与制造部门执行副总裁Siva Sivaram指出，透过Western Digital在硅芯片处理、装置工程和系统整合等方面的能力，QLC技术能提供16个不同单元临界值电压来进行资料读取和储存。该公司期待新发布的BiCS4 QLC能满足零售、行动、嵌入式、客户端及企业级等应用需求。

　　据悉，BiCS4是Western Digital与合作伙伴东芝存储器(Toshiba Memory Corporation)于日本四日市合资设立之快闪存储器制造厂区所研发，而新推出的第二代96层的BiCS4 3D NAND Flash目前已开始送样，预计今年量产出货，并于旗下SanDisk品牌之消费性产品率先使用。Western Digital希望BiCS4应用能扩展至各种领域，像是零售至企业级SSD市场。

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