3D NAND产能再增，东芝存储与西数合资的日本晶圆厂开幕

3D NAND产能再增，东芝存储与西数合资的日本晶圆厂开幕

　　东芝存储公司 (Toshiba Memory Corporation，TMC) 与西部数据(Western Digital)，19日共同于日本三重县四日市的6号晶圆厂(Fab 6) 举行开幕仪式。该晶圆厂为3D NAND Flash专用厂区，并设有存储研发中心 (Memory R&D Center)。

　　东芝存储于2017年2月开始兴建6号晶圆厂，作为生产3D NAND Flash的专用厂区。东芝存储与WD已针对沉积 (deposition) 与蚀刻 (etching) 等关键生产制程部署先进制造设备。新晶圆厂在本月初已开始量产96层3D NAND Flash。

　　与6号晶圆厂相毗邻的存储研发中心已于今年3月开始营运，负责研发并推动3D NAND Flash的发展工作。

　　东芝存储社长暨执行长成毛康雄 (Yasuo Naruke) 表示：“我们很高兴有这个机会能为新一代的3D NAND Flash开拓更广阔的市场。6号晶圆厂和存储研发中心能让我们在3D NAND Flash市场中维持领先地位，而且我们相信与Western Digital的合资事业，将协助四日市的工厂继续生产最先进的存储。”

　　Western Digital执行长Steve Milligan同步指出：“今天很荣幸能与我们的重要合作伙伴东芝存储一起为6号晶圆厂和存储研发中心揭开序幕。近20年来我们合作无间，带动了NAND Flash技术的成长和创新。此外，我们正积极提升96层3D NAND产能，以因应从消费、移动应用到云端数据中心等终端市场的各式商机 。6号晶圆厂具备先进技术设备，将进一步提升我们在业界技术领先和成本领导的地位。”

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