英特尔坚持认为其10nm工艺能在明年年底前投入量产

英特尔坚持认为其10nm工艺能在明年年底前投入量产

　　英特尔坚持认为其10nm工艺能在明年年底前投入量产，但一个更令人兴奋的是一项号称可以取代CMOS的技术，英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员在《Nature》发表的一篇论文中阐述了这个磁电自旋轨道(MESO)逻辑器件的详细情况。

　　根据英特尔的说法，MESO将来可能会取代CMOS。与现有的CMOS解决方案相比，由于量子材料的使用，MESO器件可以将电压需求降低五倍，并且可与超低睡眠状态功耗相结合，将能耗降低10-30倍。

　　研究量子计算机的主题时，其中一个挑战就是保持低温。量子计算机必须保持在绝对零度附近，也就是0开尔文(或-273.15摄氏度，-459.67华氏度)。否则，可能会出现微小的电压误差，导致量子位错误地在量子态之间切换。

　　有趣的是(也是重要的)，英特尔发明的MESO器件，不仅能满足未来计算需求的内存、互连和逻辑要求，而且不需要超冷温度。

　　“MESO是一种采用室温量子材料制造的器件，”英特尔功能电子集成与制造科技中心高级研究员和主任Sasikanth Manipatruni说。“这是一个可行的例子，并有望在整个行业、学术界和国家实验室中引发创新。”

　　晶体管技术已经存在了大约70年，至今仍在使用。它们在半导体内部移动电子并将它们存储为二进制位0和1。而在新的MESO器件中，二进制位是多铁性的上下磁自旋状态，这是由加州大学伯克利分校的教授和该论文的高级作者Ramamoorthy Ramesh于2001年创建的。

　　拉梅什说：“我们发现有些材料可以施加电压并改变多铁磁体的磁序，但如何处理这些这些多铁磁体一直是个大问题。”MESO器件为计算的进化提供了一条途径。

　　毫无疑问，节能对于计算机的持续扩展至关重要，尤其是在物联网(IoT)发展如此之快的情况下。对英特尔和加州大学伯克利分校的研究人员而言，MESO就是答案。

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