传SK海力士正在研发176层闪存芯片

传SK海力士正在研发176层闪存芯片

据韩媒报道，SK海力士目前正在研发176层4D NAND闪存，继续增强产品竞争力。

近日，SK海力士宣布推出基于针对读取密集型应用设计的首款128层 1Tb TLC 4D NAND闪存的企业级SSD。除了布局数据中心、企业级等领域市场，SK海力士也发布了采用128层4D TLC NAND颗粒和自家主控的定位高端PC市场的Platinum P31系列。

不仅SK海力士，预计今年各大原厂今年将纷纷从96层3D NAND向100+层过渡。其中，三星于去年11月实现了第六代 128 层 512Gb TLC 3D NAND的量产；铠侠在2020年1月宣布和合作伙伴西部数据携手研发出3D BiCS FLASH第5代产品，采用112层3D NAND技术；美光也将在今年三季度批量生产第四代128层3D NAND；英特尔方面也有消息传出将在今年生产144层3D NAND闪存。长江存储也于近期推出容量达1.33Tb的128层QLC闪存芯片。

此外，在产能方面SK海力士也加快了步伐，近期有报道指出，SK海力士还将在M15工厂增加NAND Flash产能，并加快利川M16工厂运营。三星也积极扩展产线，其西安二期一阶段工厂于上个月开始商业交付，二阶段工厂也已经开始建设，预计完工后满载产能可达13万片/月。